利用衰减的相移掩模图案化晶片上的光刻胶的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200480005996.X

申请日：

2004-02-13

公开(公告)号：

CN1756996A

公开(公告)日：

2006-04-05

发明(设计)人：

詹姆斯·R·沃森帕维特·曼加特

申请人：

申请人地址：

美国得克萨斯

IPC主分类号：

G03F900

IPC分类号：

G21K500 G03G1600 G03C500

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

李涛;钟强

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-12-05	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):G03F 9/00 变更事项:专利权人变更前:飞思卡尔半导体公司变更后:恩智浦美国有限公司变更事项:地址变更前:美国得克萨斯变更后:美国得克萨斯
2006-04-05	公开	公开
2006-05-31	实质审查的生效	实质审查的生效
2020-02-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G03F 9/00 申请日:20040213 授权公告日:20090318 终止日期:20190213
2009-03-18	授权	授权

共 50 条

[1]

利用具有碳层的传输掩模构图晶片上的光刻胶的方法 [P].

詹姆士·R·沃森 ;

帕威特·曼加特 .

中国专利 :CN1739065A ,2006-02-22

[2]

形成光刻胶图案的方法 [P].

C·J·史密斯 ;

S·M·休斯 ;

C·M·J·霍克 ;

A·M·克罗尔 ;

A·G·纳吉 ;

P·M·瓦恩巴杰 .

中国专利 :CN100468642C ,2007-09-26

[3]

使用具有多层ARC的反射掩模在晶片上图案化光刻胶的方法 [P].

詹姆士·R·沃森 ;

帕威特·曼加特 .

中国专利 :CN1756992A ,2006-04-05

[4]

用于图案化EUV掩模上的光刻胶层的光刻系统和方法 [P].

林云跃 ;

陈嘉仁 ;

李信昌 ;

严涛南 .

中国专利 :CN105023832A ,2015-11-04

[5]

去除晶片上的光刻胶层的方法 [P].

杨鑫著 .

中国专利 :CN102314099A ,2012-01-11

[6]

光刻胶的硅化方法及形成光刻胶掩模图形的方法 [P].

崔彰日 ;

李冬 .

中国专利 :CN101458460A ,2009-06-17

[7]

在半导体晶片上形成光刻胶图形的方法 [P].

吕起成 ;

南廷林 .

中国专利 :CN1175788A ,1998-03-11

[8]

光刻胶、光刻胶组合产品及光刻胶图案化的方法 [P].

徐宏 ;

何向明 ;

刘天棋 .

中国专利 :CN115903376B ,2025-01-14

[9]

半导体基底光刻胶的去除方法和光刻胶的图案化方法 [P].

马欢 ;

陈凯 ;

罗波涛 ;

殷瑞腾 .

中国专利 :CN120578014A ,2025-09-02

[10]

光刻胶图案的制造方法 [P].

朱联合 ;

刘丁 ;

王绪根 ;

姚振海 .

中国专利 :CN118466121A ,2024-08-09

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