使用具有多层ARC的反射掩模在晶片上图案化光刻胶的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200480005983.2

申请日：

2004-02-13

公开(公告)号：

CN1756992A

公开(公告)日：

2006-04-05

发明(设计)人：

詹姆士·R·沃森帕威特·曼加特

申请人：

申请人地址：

美国得克萨斯

IPC主分类号：

G03C500

IPC分类号：

G21K500 G03F900 G06K900

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

李涛;钟强

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-02-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G03C 5/00 申请日:20040213 授权公告日:20100901 终止日期:20190213
2017-12-05	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):G03C 5/00 变更事项:专利权人变更前:飞思卡尔半导体公司变更后:恩智浦美国有限公司变更事项:地址变更前:美国得克萨斯变更后:美国得克萨斯
2006-05-31	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-09-01	授权	授权
2006-04-05	公开	公开

共 50 条

[1]

利用衰减的相移掩模图案化晶片上的光刻胶的方法 [P].

詹姆斯·R·沃森 ;

帕维特·曼加特 .

中国专利 :CN1756996A ,2006-04-05

[2]

利用具有碳层的传输掩模构图晶片上的光刻胶的方法 [P].

詹姆士·R·沃森 ;

帕威特·曼加特 .

中国专利 :CN1739065A ,2006-02-22

[3]

光刻胶的硅化方法及形成光刻胶掩模图形的方法 [P].

崔彰日 ;

李冬 .

中国专利 :CN101458460A ,2009-06-17

[4]

光刻胶、光刻胶组合产品及光刻胶图案化的方法 [P].

徐宏 ;

何向明 ;

刘天棋 .

中国专利 :CN115903376B ,2025-01-14

[5]

半导体基底光刻胶的去除方法和光刻胶的图案化方法 [P].

马欢 ;

陈凯 ;

罗波涛 ;

殷瑞腾 .

中国专利 :CN120578014A ,2025-09-02

[6]

光刻胶图案的制造方法 [P].

朱联合 ;

刘丁 ;

王绪根 ;

姚振海 .

中国专利 :CN118466121A ,2024-08-09

[7]

形成光刻胶图案的方法 [P].

汪钉崇 ;

蓝受龙 .

中国专利 :CN101140421B ,2008-03-12

[8]

光刻胶图案的修整方法 [P].

C-B·徐 .

中国专利 :CN103186038B ,2013-07-03

[9]

形成光刻胶图案的方法 [P].

C·J·史密斯 ;

S·M·休斯 ;

C·M·J·霍克 ;

A·M·克罗尔 ;

A·G·纳吉 ;

P·M·瓦恩巴杰 .

中国专利 :CN100468642C ,2007-09-26

[10]

光刻胶掩模图形的显影方法 [P].

崔彰日 .

中国专利 :CN101452225B ,2009-06-10

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