薄膜晶体管的N-型半导体材料

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200980111980.X

申请日：

2009-03-17

公开(公告)号：

CN102027611B

公开(公告)日：

2011-04-20

发明(设计)人：

D·舒克拉 T·R·韦尔特

申请人：

申请人地址：

美国纽约州

IPC主分类号：

H01L5105

IPC分类号：

C07D47106

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

韦欣华;艾尼瓦尔

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-06-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101077290989 IPC(主分类):H01L 51/05 专利申请号:200980111980X 申请日:20090317
2013-03-06	授权	授权
2020-03-10	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 51/05 申请日:20090317 授权公告日:20130306 终止日期:20190317
2011-04-20	公开	公开

共 50 条

[1]

用于薄膜晶体管的N型半导体材料 [P].

D·舒克拉 ;

D·C·弗里曼 ;

S·F·纳尔逊 .

中国专利 :CN101084590A ,2007-12-05

[2]

用于薄膜晶体管的N型半导体材料 [P].

D·舒克拉 ;

D·C·弗里曼 ;

S·F·奈尔逊 .

中国专利 :CN101084589A ,2007-12-05

[3]

包含有机半导体材料的薄膜晶体管 [P].

A·菲奇提 ;

夏禹 ;

陈志华 ;

T·邱 ;

吕少峰 .

中国专利 :CN113396490A ,2021-09-14

[4]

用于薄膜晶体管的四羧酸二酰亚胺半导体 [P].

D·舒克拉 ;

T·R·韦尔特 ;

W·G·埃亨 .

中国专利 :CN101849300B ,2010-09-29

[5]

有机半导体材料及薄膜晶体管 [P].

许千树 ;

吴忠宪 ;

郑竣丰 ;

王建隆 ;

刘景洋 ;

刘耀闵 .

中国专利 :CN103627147A ,2014-03-12

[6]

有机半导体材料、有机半导体薄膜以及有机薄膜晶体管 [P].

中山健一 ;

城户淳二 ;

夫勇进 ;

桥本洋平 ;

小熊尚实 ;

平田直毅 .

中国专利 :CN102422449B ,2012-04-18

[7]

有机半导体材料、有机半导体薄膜以及有机薄膜晶体管 [P].

市川结 ;

平田直毅 ;

河野寿夫 ;

小熊尚实 .

中国专利 :CN102714276B ,2012-10-03

[8]

利用薄膜半导体材料的薄膜晶体管 [P].

叶洋 .

中国专利 :CN101803028A ,2010-08-11

[9]

利用薄膜半导体材料的薄膜晶体管 [P].

叶洋 .

中国专利 :CN103151378B ,2013-06-12

[10]

半导体薄膜晶体管 [P].

傅志敏 ;

王战娥 ;

金弼 .

中国专利 :CN102157567A ,2011-08-17

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