用于薄膜晶体管的N型半导体材料

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200580044132.3

申请日：

2005-12-06

公开(公告)号：

CN101084590A

公开(公告)日：

2007-12-05

发明(设计)人：

D·舒克拉 D·C·弗里曼 S·F·纳尔逊

申请人：

申请人地址：

美国纽约州

IPC主分类号：

H01L5130

IPC分类号：

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

段晓玲;赵苏林

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-01-23	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-12-05	公开	公开
2012-05-30	授权	授权
2019-11-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 51/30 申请日:20051206 授权公告日:20120530 终止日期:20181206

共 50 条

[1]

用于薄膜晶体管的N型半导体材料 [P].

D·舒克拉 ;

D·C·弗里曼 ;

S·F·奈尔逊 .

中国专利 :CN101084589A ,2007-12-05

[2]

薄膜晶体管的N-型半导体材料 [P].

D·舒克拉 ;

T·R·韦尔特 .

中国专利 :CN102027611B ,2011-04-20

[3]

用于薄膜晶体管的四羧酸二酰亚胺半导体 [P].

D·舒克拉 ;

T·R·韦尔特 ;

W·G·埃亨 .

中国专利 :CN101849300B ,2010-09-29

[4]

有机半导体材料、有机半导体薄膜以及有机薄膜晶体管 [P].

中山健一 ;

城户淳二 ;

夫勇进 ;

桥本洋平 ;

小熊尚实 ;

平田直毅 .

中国专利 :CN102422449B ,2012-04-18

[5]

有机半导体材料、有机半导体薄膜以及有机薄膜晶体管 [P].

市川结 ;

平田直毅 ;

河野寿夫 ;

小熊尚实 .

中国专利 :CN102714276B ,2012-10-03

[6]

有机晶体管用有机半导体材料、其制造方法以及有机薄膜晶体管 [P].

川田敦志 ;

长浜拓男 ;

林田広幸 ;

桝谷浩太 .

中国专利 :CN105103323B ,2015-11-25

[7]

有机半导体材料及薄膜晶体管 [P].

许千树 ;

吴忠宪 ;

郑竣丰 ;

王建隆 ;

刘景洋 ;

刘耀闵 .

中国专利 :CN103627147A ,2014-03-12

[8]

一种有机半导体材料及使用该材料的有机薄膜晶体管 [P].

耿延候 ;

田洪坤 .

中国专利 :CN101798310A ,2010-08-11

[9]

薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管、阵列基板 [P].

冯翔 ;

魏向东 ;

刘静 ;

邱云 .

中国专利 :CN104637823B ,2015-05-20

[10]

有机薄膜晶体管 [P].

山贺匠 ;

匂坂俊也 .

中国专利 :CN101120456A ,2008-02-06

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