NAND闪存装置的编程方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200980157733.3

申请日：

2009-04-30

公开(公告)号：

CN102341865B

公开(公告)日：

2012-02-01

发明(设计)人：

三井田高白田理一郎荒川秀贵杨青松林宗霖

申请人：

申请人地址：

日本国东京都

IPC主分类号：

G11C1606

IPC分类号：

G11C1602 G11C1604 H01L218247 H01L27115 H01L29788 H01L29792

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

王波波

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-07-16	授权	授权
2019-07-02	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):G11C 16/06 登记生效日:20190613 变更事项:专利权人变更前权利人:力晶股份有限公司变更后权利人:力晶股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:日本国东京都变更后权利人:日本东京都变更事项:共同专利权人变更前权利人:力晶科技股份有限公司变更后权利人:力晶积成电子制造股份有限公司
2012-02-01	公开	公开
2012-03-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101211311534 IPC(主分类):G11C 16/06 专利申请号:2009801577333 申请日:20090430

共 50 条

[1]

NAND闪存编程方法 [P].

聂虹 ;

陈精纬 .

中国专利 :CN112201295A ,2021-01-08

[2]

NAND闪存装置及其编程方法 [P].

李镇旭 ;

张枰汶 .

中国专利 :CN1832024B ,2006-09-13

[3]

用于对NAND闪存及NOR/NAND组合闪存编程的闪存编程器 [P].

格雷格·阿米登 ;

萨米勒·阿西姆·阿登米尔 ;

格雷格·托帕姆 .

中国专利 :CN101071647A ,2007-11-14

[4]

一种NAND闪存装置的编程方法 [P].

刘红涛 ;

靳磊 ;

霍宗亮 .

中国专利 :CN107689245B ,2018-02-13

[5]

对NAND闪存器件进行编程的方法 [P].

朴成济 .

中国专利 :CN101154450A ,2008-04-02

[6]

减小NAND闪存编程建立时间的电路和NAND闪存 [P].

朱长峰 ;

李琪 .

中国专利 :CN107945831A ,2018-04-20

[7]

一种NAND闪存的编程方法和装置 [P].

苏志强 ;

刘会娟 ;

李建新 .

中国专利 :CN108665932A ,2018-10-16

[8]

对多级单元NAND闪存器件和MLC NAND闪存器件进行编程的方法 [P].

万维俊 .

中国专利 :CN110337694A ,2019-10-15

[9]

对多级单元NAND闪存器件和MLC NAND闪存器件进行编程的方法 [P].

万维俊 .

中国专利 :CN112530497B ,2021-03-19

[10]

NAND闪存装置 [P].

李永宅 ;

徐康德 .

中国专利 :CN1324480C ,2003-07-30

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