一种NAND闪存装置的编程方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710775895.X

申请日：

2017-08-31

公开(公告)号：

CN107689245B

公开(公告)日：

2018-02-13

发明(设计)人：

刘红涛靳磊霍宗亮

申请人：

申请人地址：

430074 湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室

IPC主分类号：

G11C1610

IPC分类号：

G11C1630

代理机构：

北京辰权知识产权代理有限公司 11619

代理人：

郎志涛

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-02-13	公开	公开
2018-03-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 16/10 申请日:20170831
2019-02-22	授权	授权

共 50 条

[1]

NAND闪存装置及其编程方法 [P].

李镇旭 ;

张枰汶 .

中国专利 :CN1832024B ,2006-09-13

[2]

NAND闪存装置的编程方法 [P].

三井田高 ;

白田理一郎 ;

荒川秀贵 ;

杨青松 ;

林宗霖 .

中国专利 :CN102341865B ,2012-02-01

[3]

NAND闪存编程方法 [P].

聂虹 ;

陈精纬 .

中国专利 :CN112201295A ,2021-01-08

[4]

一种NAND闪存的编程方法和装置 [P].

苏志强 ;

刘会娟 ;

李建新 .

中国专利 :CN108665932A ,2018-10-16

[5]

用于对NAND闪存及NOR/NAND组合闪存编程的闪存编程器 [P].

格雷格·阿米登 ;

萨米勒·阿西姆·阿登米尔 ;

格雷格·托帕姆 .

中国专利 :CN101071647A ,2007-11-14

[6]

对NAND闪存器件进行编程的方法 [P].

朴成济 .

中国专利 :CN101154450A ,2008-04-02

[7]

减小NAND闪存编程建立时间的电路和NAND闪存 [P].

朱长峰 ;

李琪 .

中国专利 :CN107945831A ,2018-04-20

[8]

一种NAND闪存的数据读取方法、装置及NAND闪存 [P].

刘会娟 ;

胡洪 .

中国专利 :CN105677246A ,2016-06-15

[9]

一种NAND闪存的擦除编程方法、装置和存储介质 [P].

肖洪钦 ;

高影 ;

虞青松 .

中国专利 :CN121075393A ,2025-12-05

[10]

一种NAND闪存的形成方法及NAND闪存 [P].

韩亮 ;

王海英 .

中国专利 :CN113035698A ,2021-06-25

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