NAND闪存装置及其编程方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510135715.9

申请日：

2005-12-28

公开(公告)号：

CN1832024B

公开(公告)日：

2006-09-13

发明(设计)人：

李镇旭张枰汶

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

G11C700

IPC分类号：

G11C712 G11C1606 G11C1610 G11C1624

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

郭定辉;黄小临

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-03-21	授权	授权
2008-01-16	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-09-13	公开	公开

共 50 条

[1]

NAND闪存编程方法 [P].

聂虹 ;

陈精纬 .

中国专利 :CN112201295A ,2021-01-08

[2]

NAND闪存装置的编程方法 [P].

三井田高 ;

白田理一郎 ;

荒川秀贵 ;

杨青松 ;

林宗霖 .

中国专利 :CN102341865B ,2012-02-01

[3]

一种NAND闪存装置的编程方法 [P].

刘红涛 ;

靳磊 ;

霍宗亮 .

中国专利 :CN107689245B ,2018-02-13

[4]

用于对NAND闪存及NOR/NAND组合闪存编程的闪存编程器 [P].

格雷格·阿米登 ;

萨米勒·阿西姆·阿登米尔 ;

格雷格·托帕姆 .

中国专利 :CN101071647A ,2007-11-14

[5]

NAND闪存装置 [P].

李永宅 ;

徐康德 .

中国专利 :CN1324480C ,2003-07-30

[6]

闪存及其编程方法 [P].

杨光军 .

中国专利 :CN102184745A ,2011-09-14

[7]

NAND闪存存储装置及其制备方法 [P].

金汉洙 ;

高伟 ;

申女 .

中国专利 :CN120857500A ,2025-10-28

[8]

闪存单元、闪存装置及其编程方法 [P].

杨光军 .

中国专利 :CN101986389B ,2011-03-16

[9]

对NAND闪存器件进行编程的方法 [P].

朴成济 .

中国专利 :CN101154450A ,2008-04-02

[10]

减小NAND闪存编程建立时间的电路和NAND闪存 [P].

朱长峰 ;

李琪 .

中国专利 :CN107945831A ,2018-04-20

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