一种金属层的刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510614154.4

申请日：

2015-09-23

公开(公告)号：

CN106548936B

公开(公告)日：

2017-03-29

发明(设计)人：

谢秋实

申请人：

申请人地址：

100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号

IPC主分类号：

H01L213213

IPC分类号：

代理机构：

北京荟英捷创知识产权代理事务所(普通合伙) 11726

代理人：

陈亚英

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-22	授权	授权
2017-04-26	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101715359438 IPC(主分类):H01L 21/3213 专利申请号:2015106141544 申请日:20150923
2017-03-29	公开	公开
2017-10-24	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 21/3213 变更事项:申请人变更前:北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司变更后:北京北方华创微电子装备有限公司变更事项:地址变更前:100026 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5楼变更后:100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号

共 50 条

[1]

一种金属膜层的刻蚀方法 [P].

门元帅 ;

赵伟栋 ;

陈奇 ;

顾文彬 .

中国专利 :CN120674318A ,2025-09-19

[2]

金属层的刻蚀方法 [P].

梅娜 ;

王重阳 .

中国专利 :CN101882596A ,2010-11-10

[3]

薄膜金属层的刻蚀方法及薄膜金属层的刻蚀结构 [P].

唐晓赫 ;

李仕俊 ;

常青松 ;

姜永娜 ;

袁彪 ;

刘晓红 ;

杨阳阳 ;

屈建洋 ;

韩宏远 ;

刘文涛 ;

董占红 ;

席红英 ;

侯小鹏 ;

梁楚楚 ;

安丽丽 .

中国专利 :CN112614808A ,2021-04-06

[4]

厚金属层的刻蚀方法 [P].

喻彪 .

中国专利 :CN117894751A ,2024-04-16

[5]

背面金属层的刻蚀方法 [P].

任婷婷 ;

姚道州 ;

杨鑫 ;

杜保田 ;

惠科石 ;

王玉新 .

中国专利 :CN120015624A ,2025-05-16

[6]

一种金属互连层刻蚀方法 [P].

张海洋 ;

胡敏达 .

中国专利 :CN103021930B ,2013-04-03

[7]

一种刻蚀第一金属层的方法 [P].

张瑜 ;

黄君 ;

李程 ;

杨渝书 .

中国专利 :CN102543849A ,2012-07-04

[8]

一种金属层上含钽薄膜的刻蚀方法 [P].

邱鹏 ;

张挺 .

中国专利 :CN104810241A ,2015-07-29

[9]

一种减少掺杂层损伤的金属层刻蚀方法 [P].

徐云霞 .

中国专利 :CN120895471A ,2025-11-04

[10]

顶层金属层沟槽的刻蚀方法 [P].

张城龙 ;

胡敏达 ;

张海洋 .

中国专利 :CN103515222A ,2014-01-15

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