背面金属层的刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510208359.6

申请日：

2025-02-25

公开(公告)号：

CN120015624A

公开(公告)日：

2025-05-16

发明(设计)人：

任婷婷姚道州杨鑫杜保田惠科石王玉新

申请人：

华虹半导体（无锡）有限公司

申请人地址：

214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

IPC主分类号：

H01L21/3213

IPC分类号：

H01J37/32

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

戴广志

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省无锡市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-03	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/3213申请日:20250225
2025-05-16	公开	公开

共 50 条

[1]

金属层的刻蚀方法 [P].

梅娜 ;

王重阳 .

中国专利 :CN101882596A ,2010-11-10

[2]

薄膜金属层的刻蚀方法及薄膜金属层的刻蚀结构 [P].

唐晓赫 ;

李仕俊 ;

常青松 ;

姜永娜 ;

袁彪 ;

刘晓红 ;

杨阳阳 ;

屈建洋 ;

韩宏远 ;

刘文涛 ;

董占红 ;

席红英 ;

侯小鹏 ;

梁楚楚 ;

安丽丽 .

中国专利 :CN112614808A ,2021-04-06

[3]

厚金属层的刻蚀方法 [P].

喻彪 .

中国专利 :CN117894751A ,2024-04-16

[4]

背面金属格栅的硬掩膜的刻蚀方法 [P].

张守龙 ;

任婷婷 ;

姚道州 ;

杨鑫 ;

杜保田 ;

汪健 ;

惠科石 ;

王玉新 ;

赵正元 .

中国专利 :CN119947287B ,2025-09-26

[5]

顶层金属层沟槽的刻蚀方法 [P].

张城龙 ;

胡敏达 ;

张海洋 .

中国专利 :CN103515222A ,2014-01-15

[6]

Al基金属层的刻蚀方法 [P].

布鲁诺·斯普勒 ;

威林德尔·格雷沃 ;

成田雅喜 ;

杨智华(音译) .

中国专利 :CN1221809A ,1999-07-07

[7]

背面金属格栅的硬掩膜的刻蚀方法 [P].

张守龙 ;

任婷婷 ;

姚道州 ;

杨鑫 ;

杜保田 ;

汪健 ;

惠科石 ;

王玉新 ;

赵正元 .

中国专利 :CN119947287A ,2025-05-06

[8]

一种背面金属栅格刻蚀方法 [P].

吴志刚 .

中国专利 :CN120751788A ,2025-10-03

[9]

一种金属膜层的刻蚀方法 [P].

门元帅 ;

赵伟栋 ;

陈奇 ;

顾文彬 .

中国专利 :CN120674318A ,2025-09-19

[10]

一种金属层的刻蚀方法 [P].

谢秋实 .

中国专利 :CN106548936B ,2017-03-29

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