二极管/电晶体晶片PN 接面的保护方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210326291.4

申请日：

2012-09-05

公开(公告)号：

CN103456648A

公开(公告)日：

2013-12-18

发明(设计)人：

黄正尚陈国辉陈効义温育德

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹县

IPC主分类号：

H01L2156

IPC分类号：

代理机构：

北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100

代理人：

赵郁军

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-02-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101570131480 IPC(主分类):H01L 21/56 专利申请号:2012103262914 申请日:20120905
2013-12-18	公开	公开
2016-08-17	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101737357762 IPC(主分类):H01L 21/56 专利申请号:2012103262914 申请公布日:20131218

共 50 条

[1]

多接面的激光二极管 [P].

温宏宽 .

中国专利 :CN221614380U ,2024-08-27

[2]

PN二极管 [P].

A·格拉赫 .

德国专利 :CN109004034B ,2024-05-28

[3]

PN二极管 [P].

A·格拉赫 .

中国专利 :CN109004034A ,2018-12-14

[4]

pn结二极管 [P].

高冢章夫 ;

佐佐木公平 .

日本专利 :CN117981091A ,2024-05-03

[5]

保护二极管 [P].

藤田光一 .

中国专利 :CN103367402B ,2013-10-23

[6]

融合PN肖特基二极管 [P].

S·拉斯库纳 ;

M·G·萨吉奥 .

中国专利 :CN212365972U ,2021-01-15

[7]

发光二极管晶片 [P].

丁绍滢 ;

兰彦廷 ;

黄靖恩 ;

黄逸儒 .

中国专利 :CN305303682S ,2019-08-13

[8]

发光二极管晶片 [P].

郭修邑 .

中国专利 :CN108023006A ,2018-05-11

[9]

深区PN结二极管 [P].

孙本栋 ;

林志刚 .

中国专利 :CN87100967A ,1987-11-11

[10]

将晶体管晶片接合到发光二极管晶片以形成有源发光二极管模块 [P].

布拉德利·S·奥拉韦 .

中国专利 :CN105051899A ,2015-11-11

← 1 2 3 4 5 →