一种去除晶圆表面光刻胶的方法

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申请号
CN202210839466.5
申请日
2022-07-15
公开(公告)号
CN115047733A
公开(公告)日
2022-09-13
发明(设计)人
曹娟 黄寓洋
申请人
申请人地址
215124 江苏省苏州市苏州工业园区星湖街218号生物纳米园A4楼109C单元
IPC主分类号
G03F742
IPC分类号
G03F720 G03F732
代理机构
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256
代理人
何胜男
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
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姚吉豪 ;
王江锋 ;
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[2]
一种去除金属薄膜表面光刻胶的方法 [P]. 
王依依 ;
许杨 .
中国专利 :CN119181637A ,2024-12-24
[3]
一种半导体圆晶表面光刻胶涂布装置 [P]. 
李国平 .
中国专利 :CN118950393A ,2024-11-15
[4]
一种半导体圆晶表面光刻胶涂布装置 [P]. 
罗启祥 ;
高梁 .
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[5]
一种半导体圆晶表面光刻胶涂布装置 [P]. 
李国平 .
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[6]
一种去除碳基薄膜表面光刻胶的方法及应用 [P]. 
贾越辉 ;
龚欣 ;
彭沛 ;
王紫东 ;
田仲政 ;
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张酣 ;
傅云义 .
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[7]
一种去除硅片表面光刻胶后的废液处理装置 [P]. 
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[8]
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[9]
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王佳兴 ;
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陈昊瑜 ;
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中国专利 :CN115050748A ,2022-09-13
[10]
一种去除刻蚀后基片表面光刻胶的方法及实施装置 [P]. 
梁万国 ;
李广伟 ;
张新汉 ;
陈怀熹 ;
缪龙 ;
冯新凯 ;
邹小林 .
中国专利 :CN106683983A ,2017-05-17