ONO层表面光刻胶返工的改善方法

被引：0

申请号：

CN202210669524.4

申请日：

2022-06-14

公开(公告)号：

CN115050748A

公开(公告)日：

2022-09-13

发明(设计)人：

王佳兴刘政红陈昊瑜黄冠群齐瑞生

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区良腾路6号

IPC主分类号：

H01L2711568

IPC分类号：

H01L21312

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

刘昌荣

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11568 申请日:20220614
2022-09-13	公开	公开

共 50 条

[1]

一种去除晶圆表面光刻胶的方法 [P].

曹娟 ;

黄寓洋 .

中国专利 :CN115047733A ,2022-09-13

[2]

一种去除金属薄膜表面光刻胶的方法 [P].

王依依 ;

许杨 .

中国专利 :CN119181637A ,2024-12-24

[3]

能够防止银膜层表面光刻胶显影时脱落的TMBS光刻工艺 [P].

李鹏 ;

张海宇 ;

张竞文 .

中国专利 :CN119846904A ,2025-04-18

[4]

光刻返工后残留光刻胶的去除方法 [P].

沈佳 .

中国专利 :CN104252103A ,2014-12-31

[5]

光刻胶去除方法、光刻工艺的返工方法 [P].

袁宝玲 ;

高云 ;

赵祥旭 ;

王科 ;

邱运航 ;

陈方友 .

中国专利 :CN120276222A ,2025-07-08

[6]

一种用于硅片表面光刻胶保护的储存柜 [P].

何学涛 ;

顾大公 ;

岳力挽 ;

阴奔野 ;

郑广磊 ;

马潇 ;

毛智彪 ;

许从应 .

中国专利 :CN214398106U ,2021-10-15

[7]

改善离子注入光刻层光刻胶形貌的方法 [P].

孟晓莹 ;

张彦伟 .

中国专利 :CN112382562B ,2024-03-12

[8]

改善离子注入光刻层光刻胶形貌的方法 [P].

孟晓莹 ;

张彦伟 .

中国专利 :CN112382562A ,2021-02-19

[9]

改善光刻胶表面粗糙度的方法 [P].

成智国 ;

耿文练 .

中国专利 :CN109062010A ,2018-12-21

[10]

改善光刻胶形貌的方法 [P].

王传龙 ;

何洪波 ;

王建涛 .

中国专利 :CN121034949A ,2025-11-28

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