半导体硅晶片的表面钝化方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610313607.4

申请日：

2016-05-13

公开(公告)号：

CN105931958A

公开(公告)日：

2016-09-07

发明(设计)人：

郏金鹏陈诚王平王峰张各海袁超张凌鹓

申请人：

申请人地址：

213000 江苏省常州市新北区春江镇新华村新盛路2号

IPC主分类号：

H01L21306

IPC分类号：

代理机构：

常州市维益专利事务所 32211

代理人：

何学成

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-09-07	公开	公开
2016-10-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101681302268 IPC(主分类):H01L 21/306 专利申请号:2016103136074 申请日:20160513
2017-06-09	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101753056379 IPC(主分类):H01L 21/306 专利申请号:2016103136074 变更事项:申请人变更前:江苏佑风微电子有限公司变更后:江苏佑风微电子股份有限公司变更事项:地址变更前:213000 江苏省常州市新北区春江镇新华村新盛路2号变更后:213000 江苏省常州市新北区春江镇新华村新盛路2号
2019-12-20	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/306 申请公布日:20160907

共 50 条

[1]

一种半导体硅晶片腐蚀液及其腐蚀方法 [P].

郏金鹏 ;

陈诚 ;

王平 ;

王峰 ;

张各海 ;

袁超 ;

张凌鹓 .

中国专利 :CN106024675A ,2016-10-12

[2]

消除半导体硅晶片表面应力的方法 [P].

刘玉岭 ;

周建伟 ;

张伟 .

中国专利 :CN100400722C ,2007-02-14

[3]

半导体硅晶片的制备方法、硅晶片及图像传感器 [P].

赵长林 ;

曾甜 .

中国专利 :CN108346674A ,2018-07-31

[4]

半导体硅晶片的制造方法 [P].

仙田刚士 ;

须藤治生 .

中国专利 :CN115135818A ,2022-09-30

[5]

半导体硅晶片的制造方法 [P].

仙田刚士 ;

成松真吾 .

中国专利 :CN115135817A ,2022-09-30

[6]

半导体硅晶片的制造方法 [P].

仙田刚士 ;

成松真吾 .

中国专利 :CN115135816A ,2022-09-30

[7]

硅晶片、半导体装置、硅晶片的制造方法以及半导体装置的制造方法 [P].

高木明英 ;

中村昌次 ;

西野光俊 ;

大竹保年 .

中国专利 :CN102947948B ,2013-02-27

[8]

硅半导体晶片及制造多个半导体晶片的方法 [P].

吉多·文斯基 ;

托马斯·阿尔特曼 ;

安东·胡贝尔 ;

亚历山大·海尔迈尔 .

中国专利 :CN1294629C ,2003-06-18

[9]

硅半导体晶片及其制造方法 [P].

中居克彦 ;

W·V·阿蒙 ;

福岛圣 ;

H·施密特 ;

M·韦伯 .

中国专利 :CN101187058B ,2008-05-28

[10]

一种半导体晶片表面钝化工艺 [P].

张纪稳 ;

李薛民 ;

路晓瑜 ;

蔡永军 ;

孙梅 ;

吕贺贺 ;

陈岩 .

中国专利 :CN117558634A ,2024-02-13

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