QLED器件及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201710641801.X
申请日
2017-07-31
公开(公告)号
CN109326726A
公开(公告)日
2019-02-12
发明(设计)人
梁柱荣 曹蔚然 刘佳
申请人
申请人地址
516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区
IPC主分类号
H01L5150
IPC分类号
H01L5154 H01L5156
代理机构
深圳中一专利商标事务所 44237
代理人
黄志云
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
QLED器件及其制备方法 [P]. 
刘佳 .
中国专利 :CN106784202A ,2017-05-31
[2]
QLED器件及其制备方法 [P]. 
杨紫琰 ;
龙能文 ;
管子豪 .
中国专利 :CN113851593A ,2021-12-28
[3]
QLED器件及其制备方法 [P]. 
汪鹏生 ;
龚克 .
中国专利 :CN115440911A ,2022-12-06
[4]
QLED器件及其制备方法 [P]. 
王宇 ;
曹蔚然 ;
李龙基 .
中国专利 :CN108878663A ,2018-11-23
[5]
QLED器件及其制备方法 [P]. 
李龙基 ;
曹蔚然 .
中国专利 :CN109427981B ,2019-03-05
[6]
QLED器件及其制备方法 [P]. 
陈亚文 ;
宋晶尧 ;
付东 .
中国专利 :CN108346749A ,2018-07-31
[7]
QLED器件及其制备方法 [P]. 
吴劲衡 ;
吴龙佳 ;
何斯纳 .
中国专利 :CN109935704A ,2019-06-25
[8]
QLED器件及其制备方法 [P]. 
杨紫琰 ;
龙能文 ;
管子豪 .
中国专利 :CN113851593B ,2024-05-10
[9]
QLED器件及其制备方法 [P]. 
曹蔚然 ;
梁柱荣 ;
刘佳 .
中国专利 :CN109244252B ,2019-01-18
[10]
QLED器件及其制备方法 [P]. 
刘欣 .
中国专利 :CN115498120B ,2025-05-02