半导体单片集成电路的蚀刻设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910640476.4

申请日：

2019-07-16

公开(公告)号：

CN110473807A

公开(公告)日：

2019-11-19

发明(设计)人：

郝建华李会斌高金生

申请人：

申请人地址：

224014 江苏省盐城市盐都区盐龙街道办事处纬八路与秦川路交汇处(D)

IPC主分类号：

H01L2167

IPC分类号：

代理机构：

北京华际知识产权代理有限公司 11676

代理人：

王战

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-28	授权	授权
2021-12-24	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/67 登记生效日:20211214 变更事项:申请人变更前权利人:盐城华昱光电技术有限公司变更后权利人:江苏籽硕科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:224014 江苏省盐城市盐都区盐龙街道办事处纬八路与秦川路交汇处(D) 变更后权利人:225000 江苏省泰州市医药高新技术产业开发区经济开发区创新创业产业园三期4号电子厂房1层、2层
2019-12-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/67 申请日:20190716
2019-11-19	公开	公开

共 50 条

[1]

一种半导体单片集成电路的光刻设备 [P].

向宇 ;

李艳辉 ;

唐春华 ;

杨海明 ;

向卉 ;

向国清 .

中国专利 :CN114253080A ,2022-03-29

[2]

一种半导体单片集成电路的光刻设备 [P].

李子考 ;

喻凤翔 .

中国专利 :CN210402010U ,2020-04-24

[3]

单片集成电路 [P].

金谷康 .

中国专利 :CN103794608A ,2014-05-14

[4]

单片集成电路的装置 [P].

穆赫辛·绍克拉尼 ;

米希尔·考恩霍文 ;

戴维·阿赫马里 ;

陈阳闿 .

美国专利 :CN120184739A ,2025-06-20

[5]

单片集成电路制作的助听器 [P].

洪珍 ;

何林 .

中国专利 :CN202385277U ,2012-08-15

[6]

单片集成电路制作的助听器 [P].

洪珍 ;

何林 .

中国专利 :CN102427574A ,2012-04-25

[7]

具有电容性隔离的单片集成电路 [P].

亚肖德汉·维贾伊·莫盖 ;

安德鲁·特里 ;

安德鲁·詹姆斯·里德 ;

史蒂文·格兰特·杜瓦尔 .

中国专利 :CN105489576A ,2016-04-13

[8]

带有MIS(金属-绝缘体-半导体)集成电容器的单片集成电路 [P].

沃尔夫冈·高林厄 ;

约辛·布鲁尔 .

中国专利 :CN85101388A ,1987-01-31

[9]

单片集成电路及在一公共衬底上制造单片集成电路的方法 [P].

德怀特·Ｃ·斯特赖特 ;

唐纳德·Ｋ·昂莫托 ;

阿伦·Ｋ·奥基 ;

凯文·Ｗ·科巴亚欣 .

中国专利 :CN1115728C ,1996-09-25

[10]

集成多个装置的单片集成电路芯片 [P].

杰弗里·H·桑德斯 .

中国专利 :CN104520986A ,2015-04-15

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