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含钼的低电阻率的膜

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201880038116.0
申请日：
2018-04-09
公开(公告)号：
CN110731003A
公开(公告)日：
2020-01-24
发明(设计)人：
施卢蒂·维维克·托姆贝尔 拉什纳·胡马雍 米卡尔·达内克 照健·史蒂文·黎 约瑟亚·科林斯 汉娜·班诺乐克 格里芬·约翰·肯尼迪 戈鲁恩·布泰尔 帕特里克·范克利蒙布特
申请人：
申请人地址：
美国加利福尼亚州
IPC主分类号：
H01L21285
IPC分类号：
H01L27108 H01L2102 H01L21324
代理机构：
上海胜康律师事务所 31263
代理人：
李献忠;张静
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2020-05-08 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/285 申请日:20180409
2020-01-24 公开 公开
共 50 条
[1]
含钼的低电阻率的膜 [P]. 
施卢蒂·维维克·托姆贝尔 ;
拉什纳·胡马雍 ;
米卡尔·达内克 ;
照健·史蒂文·黎 ;
约瑟亚·科林斯 ;
汉娜·班诺乐克 ;
格里芬·约翰·肯尼迪 ;
戈鲁恩·布泰尔 ;
帕特里克·范克利蒙布特 .
美国专利 :CN110731003B ,2024-03-26
[2]
含钼的低电阻率的膜 [P]. 
施卢蒂·维维克·托姆贝尔 ;
拉什纳·胡马雍 ;
米卡尔·达内克 ;
照健·史蒂文·黎 ;
约瑟亚·科林斯 ;
汉娜·班诺乐克 ;
格里芬·约翰·肯尼迪 ;
戈鲁恩·布泰尔 ;
帕特里克·范克利蒙布特 .
美国专利 :CN118366852A ,2024-07-19
[3]
含钼的低电阻率的膜 [P]. 
施卢蒂·维维克·托姆贝尔 ;
拉什纳·胡马雍 ;
米卡尔·达内克 ;
照健·史蒂文·黎 ;
约瑟亚·科林斯 ;
汉娜·班诺乐克 ;
格里芬·约翰·肯尼迪 ;
戈鲁恩·布泰尔 ;
帕特里克·范克利蒙布特 .
美国专利 :CN118366851A ,2024-07-19
[4]
低电阻率的钽 [P]. 
E·C·库尼三世 ;
C·E·乌佐 .
中国专利 :CN1290940A ,2001-04-11
[5]
低电阻率透明导电膜的制备方法 [P]. 
王芸 ;
倪嘉 ;
彭程 ;
彭小波 ;
金良茂 .
中国专利 :CN104332215A ,2015-02-04
[6]
低电阻率透明导电膜的制备装置 [P]. 
王芸 ;
倪嘉 ;
彭程 ;
彭小波 ;
金良茂 .
中国专利 :CN204288828U ,2015-04-22
[7]
低电阻率接触 [P]. 
R.J.瑟里恩 ;
J.D.里德 ;
J.A.拉姆齐 ;
A.L.格雷 .
中国专利 :CN103890985A ,2014-06-25
[8]
用于低电阻率半导体应用的混合钼填充方案 [P]. 
魏雷 ;
沙希尔·帕特尔 ;
杨逸雄 ;
雷雨 ;
岳诗雨 ;
徐翼 ;
吐尔逊·艾丽胡玛尔 ;
吴周玹 ;
唐先敏 ;
汪荣军 .
美国专利 :CN120981909A ,2025-11-18
[9]
低电阻率钨膜及制造方法 [P]. 
王飞虎 ;
李正周 ;
岑羲 ;
袁智博 ;
雷伟 ;
吴凯 ;
周春明 ;
陈哲擘 .
中国专利 :CN114946012A ,2022-08-26
[10]
低电阻率钨膜及制造方法 [P]. 
王飞虎 ;
李正周 ;
岑羲 ;
袁智博 ;
雷伟 ;
吴凯 ;
周春明 ;
陈哲擘 .
美国专利 :CN114946012B ,2025-09-26
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