低电阻率的钽

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN00119910.2

申请日：

2000-06-30

公开(公告)号：

CN1290940A

公开(公告)日：

2001-04-11

发明(设计)人：

E·C·库尼三世 C·E·乌佐

申请人：

申请人地址：

美国纽约

IPC主分类号：

H01B102

IPC分类号：

H01L213205 H01L21768 H01L23532

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

段承恩

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2001-04-11	公开	公开
2020-07-24	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):H01B 1/02 申请日:20000630 授权公告日:20050302
2000-11-01	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2005-03-02	授权	授权

共 50 条

[1]

低电阻率接触 [P].

R.J.瑟里恩 ;

J.D.里德 ;

J.A.拉姆齐 ;

A.L.格雷 .

中国专利 :CN103890985A ,2014-06-25

[2]

低电阻率石墨线 [P].

阮江军 ;

龚若涵 ;

胡元潮 ;

文武 ;

周军 ;

吴泳聪 .

中国专利 :CN204189471U ,2015-03-04

[3]

低电阻率间隙填充 [P].

杨宗翰 ;

刘震 ;

高勇谦 ;

侯文婷 ;

汪荣军 .

美国专利 :CN120226140A ,2025-06-27

[4]

一种低电阻温度系数、高电阻率氮化钽与钽多层膜的制备方法 [P].

彭斌 ;

蒋中东 ;

张万里 ;

张文旭 ;

王磊 .

中国专利 :CN104789928A ,2015-07-22

[5]

低电阻率铝合金杆 [P].

宋爱成 ;

蔺亚强 ;

张军 ;

肖凤 .

中国专利 :CN104805335A ,2015-07-29

[6]

低电阻率复合石墨线 [P].

武国亮 ;

李震宇 ;

牛彪 ;

王志利 ;

王强 ;

赵云峰 ;

喻光辉 ;

李欣 ;

饶欢 ;

赵定义 .

中国专利 :CN205194864U ,2016-04-27

[7]

含钼的低电阻率的膜 [P].

施卢蒂·维维克·托姆贝尔 ;

拉什纳·胡马雍 ;

米卡尔·达内克 ;

照健·史蒂文·黎 ;

约瑟亚·科林斯 ;

汉娜·班诺乐克 ;

格里芬·约翰·肯尼迪 ;

戈鲁恩·布泰尔 ;

帕特里克·范克利蒙布特 .

美国专利 :CN110731003B ,2024-03-26

[8]

含钼的低电阻率的膜 [P].

施卢蒂·维维克·托姆贝尔 ;

拉什纳·胡马雍 ;

米卡尔·达内克 ;

照健·史蒂文·黎 ;

约瑟亚·科林斯 ;

汉娜·班诺乐克 ;

格里芬·约翰·肯尼迪 ;

戈鲁恩·布泰尔 ;

帕特里克·范克利蒙布特 .

美国专利 :CN118366852A ,2024-07-19

[9]

含钼的低电阻率的膜 [P].

施卢蒂·维维克·托姆贝尔 ;

拉什纳·胡马雍 ;

米卡尔·达内克 ;

照健·史蒂文·黎 ;

约瑟亚·科林斯 ;

汉娜·班诺乐克 ;

格里芬·约翰·肯尼迪 ;

戈鲁恩·布泰尔 ;

帕特里克·范克利蒙布特 .

中国专利 :CN110731003A ,2020-01-24

[10]

含钼的低电阻率的膜 [P].

施卢蒂·维维克·托姆贝尔 ;

拉什纳·胡马雍 ;

米卡尔·达内克 ;

照健·史蒂文·黎 ;

约瑟亚·科林斯 ;

汉娜·班诺乐克 ;

格里芬·约翰·肯尼迪 ;

戈鲁恩·布泰尔 ;

帕特里克·范克利蒙布特 .

美国专利 :CN118366851A ,2024-07-19

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