一种低电阻温度系数、高电阻率氮化钽与钽多层膜的制备方法

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专利类型
发明
申请号
CN201410019262.2
申请日
2014-01-16
公开(公告)号
CN104789928A
公开(公告)日
2015-07-22
发明(设计)人
彭斌 蒋中东 张万里 张文旭 王磊
申请人
申请人地址
611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
IPC主分类号
C23C1414
IPC分类号
C23C1435
代理机构
代理人
法律状态
公开
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共 50 条
[1]
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