低电阻率间隙填充

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380078240.0

申请日：

2023-11-20

公开(公告)号：

CN120226140A

公开(公告)日：

2025-06-27

发明(设计)人：

杨宗翰刘震高勇谦侯文婷汪荣军

申请人：

应用材料公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L21/768

IPC分类号：

H01L21/285 C23C16/04 C23C16/14

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国;吴启超

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-27	公开	公开
2025-07-15	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/768申请日:20231120

共 50 条

[1]

用于逻辑器件的低电阻率间隙填充 [P].

刘震 ;

李明翰 ;

张洁 ;

高勇谦 ;

杨宗翰 ;

汪荣军 .

美国专利 :CN120457536A ,2025-08-08

[2]

低电阻率接触 [P].

R.J.瑟里恩 ;

J.D.里德 ;

J.A.拉姆齐 ;

A.L.格雷 .

中国专利 :CN103890985A ,2014-06-25

[3]

用于低电阻率及应力的钨间隙填充部的方法与装置 [P].

岑羲 ;

吴凯 ;

玄珉 ;

张潍铭 ;

汤姆何荣·余 ;

王珮琪 ;

姜宙翼 ;

王飞虎 ;

佐佐木信之 ;

周春明 .

中国专利 :CN115023792A ,2022-09-06

[4]

用于形成具有低电阻率的金属间隙填充物的方法 [P].

徐翼 ;

雷雨 ;

亓智敏 ;

张爱西 ;

赵咸元 ;

雷伟 ;

高兴尧 ;

希里什语·A·佩特 ;

黄涛 ;

常翔 ;

帕特里克·博-均·李 ;

杰拉尔丁·瓦斯奎兹 ;

吴典晔 ;

汪荣军 .

美国专利 :CN119895560A ,2025-04-25

[5]

低电阻率的钽 [P].

E·C·库尼三世 ;

C·E·乌佐 .

中国专利 :CN1290940A ,2001-04-11

[6]

低电阻率石墨线 [P].

阮江军 ;

龚若涵 ;

胡元潮 ;

文武 ;

周军 ;

吴泳聪 .

中国专利 :CN204189471U ,2015-03-04

[7]

低电阻率铝合金杆 [P].

宋爱成 ;

蔺亚强 ;

张军 ;

肖凤 .

中国专利 :CN104805335A ,2015-07-29

[8]

低电阻率复合石墨线 [P].

武国亮 ;

李震宇 ;

牛彪 ;

王志利 ;

王强 ;

赵云峰 ;

喻光辉 ;

李欣 ;

饶欢 ;

赵定义 .

中国专利 :CN205194864U ,2016-04-27

[9]

实现低电阻率钨特征填充的钨成核工艺 [P].

拉什纳·胡马雍 ;

苏达哈·曼安达哈 ;

迈克尔·丹克 .

中国专利 :CN104752339A ,2015-07-01

[10]

实现低电阻率钨特征填充的钨成核工艺 [P].

拉什纳·胡马雍 ;

苏达哈·曼安达哈 ;

迈克尔·丹克 .

中国专利 :CN110310919A ,2019-10-08

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