用于逻辑器件的低电阻率间隙填充

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202480006625.0

申请日：

2024-01-03

公开(公告)号：

CN120457536A

公开(公告)日：

2025-08-08

发明(设计)人：

刘震李明翰张洁高勇谦杨宗翰汪荣军

申请人：

应用材料公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L21/768

IPC分类号：

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国;吴启超

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-08	公开	公开
2025-08-26	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/768申请日:20240103

共 50 条

[1]

低电阻率间隙填充 [P].

杨宗翰 ;

刘震 ;

高勇谦 ;

侯文婷 ;

汪荣军 .

美国专利 :CN120226140A ,2025-06-27

[2]

用于低电阻率及应力的钨间隙填充部的方法与装置 [P].

岑羲 ;

吴凯 ;

玄珉 ;

张潍铭 ;

汤姆何荣·余 ;

王珮琪 ;

姜宙翼 ;

王飞虎 ;

佐佐木信之 ;

周春明 .

中国专利 :CN115023792A ,2022-09-06

[3]

用于形成具有低电阻率的金属间隙填充物的方法 [P].

徐翼 ;

雷雨 ;

亓智敏 ;

张爱西 ;

赵咸元 ;

雷伟 ;

高兴尧 ;

希里什语·A·佩特 ;

黄涛 ;

常翔 ;

帕特里克·博-均·李 ;

杰拉尔丁·瓦斯奎兹 ;

吴典晔 ;

汪荣军 .

美国专利 :CN119895560A ,2025-04-25

[4]

低电阻率的钽 [P].

E·C·库尼三世 ;

C·E·乌佐 .

中国专利 :CN1290940A ,2001-04-11

[5]

低电阻率接触 [P].

R.J.瑟里恩 ;

J.D.里德 ;

J.A.拉姆齐 ;

A.L.格雷 .

中国专利 :CN103890985A ,2014-06-25

[6]

用于低电阻率半导体应用的混合钼填充方案 [P].

魏雷 ;

沙希尔·帕特尔 ;

杨逸雄 ;

雷雨 ;

岳诗雨 ;

徐翼 ;

吐尔逊·艾丽胡玛尔 ;

吴周玹 ;

唐先敏 ;

汪荣军 .

美国专利 :CN120981909A ,2025-11-18

[7]

用于形成低电阻率接触的方法 [P].

吕疆 ;

吴立其 ;

窦伟 ;

叶伟峰 ;

陈世忠 ;

汪荣军 ;

唐先敏 ;

万一扬 ;

张书锚 ;

郭涧秋 .

美国专利 :CN119768908A ,2025-04-04

[8]

用低电阻率金属填充半导体器件中的凹陷特征的方法 [P].

尤凯鸿 ;

大卫·奥梅亚拉 ;

尼古拉斯·乔伊 ;

焦纳兰詹·帕塔奈克 ;

罗伯特·克拉克 ;

坎达巴拉·塔皮利 ;

袴田隆宏 ;

考利·瓦吉达 ;

赫里特·勒斯因克 .

中国专利 :CN112805818A ,2021-05-14

[9]

低电阻率石墨线 [P].

阮江军 ;

龚若涵 ;

胡元潮 ;

文武 ;

周军 ;

吴泳聪 .

中国专利 :CN204189471U ,2015-03-04

[10]

用低电阻率金属填充半导体器件中的凹陷特征的方法 [P].

尤凯鸿 ;

大卫·奥梅亚拉 ;

尼古拉斯·乔伊 ;

焦纳兰詹·帕塔奈克 ;

罗伯特·克拉克 ;

坎达巴拉·塔皮利 ;

袴田隆宏 ;

考利·瓦吉达 ;

赫里特·勒斯因克 .

日本专利 :CN112805818B ,2024-10-18

← 1 2 3 4 5 →