用于低电阻率及应力的钨间隙填充部的方法与装置

被引：0

申请号：

CN202180009088.1

申请日：

2021-09-28

公开(公告)号：

CN115023792A

公开(公告)日：

2022-09-06

发明(设计)人：

岑羲吴凯玄珉张潍铭汤姆何荣·余王珮琪姜宙翼王飞虎佐佐木信之周春明

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L21285

IPC分类号：

H01L21768 C23C1604 C23C1602 C23C1606

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国;赵静

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-06	公开	公开

共 50 条

[1]

低电阻率间隙填充 [P].

杨宗翰 ;

刘震 ;

高勇谦 ;

侯文婷 ;

汪荣军 .

美国专利 :CN120226140A ,2025-06-27

[2]

用于逻辑器件的低电阻率间隙填充 [P].

刘震 ;

李明翰 ;

张洁 ;

高勇谦 ;

杨宗翰 ;

汪荣军 .

美国专利 :CN120457536A ,2025-08-08

[3]

低电阻率钨膜及制造方法 [P].

王飞虎 ;

李正周 ;

岑羲 ;

袁智博 ;

雷伟 ;

吴凯 ;

周春明 ;

陈哲擘 .

中国专利 :CN114946012A ,2022-08-26

[4]

低电阻率钨膜及制造方法 [P].

王飞虎 ;

李正周 ;

岑羲 ;

袁智博 ;

雷伟 ;

吴凯 ;

周春明 ;

陈哲擘 .

美国专利 :CN114946012B ,2025-09-26

[5]

用于钨间隙填充的方法及设备 [P].

雷伟 .

美国专利 :CN118176574A ,2024-06-11

[6]

实现低电阻率钨特征填充的钨成核工艺 [P].

拉什纳·胡马雍 ;

苏达哈·曼安达哈 ;

迈克尔·丹克 .

中国专利 :CN104752339A ,2015-07-01

[7]

实现低电阻率钨特征填充的钨成核工艺 [P].

拉什纳·胡马雍 ;

苏达哈·曼安达哈 ;

迈克尔·丹克 .

中国专利 :CN110310919A ,2019-10-08

[8]

用于形成低电阻率钨特征的方法 [P].

王珮琪 ;

程诚 ;

吴凯 ;

河仁守 ;

李相进 .

美国专利 :CN118140301A ,2024-06-04

[9]

用于形成具有低电阻率的金属间隙填充物的方法 [P].

徐翼 ;

雷雨 ;

亓智敏 ;

张爱西 ;

赵咸元 ;

雷伟 ;

高兴尧 ;

希里什语·A·佩特 ;

黄涛 ;

常翔 ;

帕特里克·博-均·李 ;

杰拉尔丁·瓦斯奎兹 ;

吴典晔 ;

汪荣军 .

美国专利 :CN119895560A ,2025-04-25

[10]

利用PVD溅射法控制钨的电阻率及应力的方法 [P].

李佳英 ;

姜抗 ;

吴道铉 ;

中野贤明 ;

沼田幸展 ;

大久保拓 .

日本专利 :CN119278500A ,2025-01-07

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