实现低电阻率钨特征填充的钨成核工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910418672.7

申请日：

2014-12-29

公开(公告)号：

CN110310919A

公开(公告)日：

2019-10-08

发明(设计)人：

拉什纳·胡马雍苏达哈·曼安达哈迈克尔·丹克

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

代理机构：

上海胜康律师事务所 31263

代理人：

樊英如;邱晓敏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-10-08	公开	公开
2019-11-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20141229

共 50 条

[1]

实现低电阻率钨特征填充的钨成核工艺 [P].

拉什纳·胡马雍 ;

苏达哈·曼安达哈 ;

迈克尔·丹克 .

中国专利 :CN104752339A ,2015-07-01

[2]

用于形成低电阻率钨特征的方法 [P].

王珮琪 ;

程诚 ;

吴凯 ;

河仁守 ;

李相进 .

美国专利 :CN118140301A ,2024-06-04

[3]

低电阻率的等离子体增强钨成核 [P].

杨宗翰 ;

尹俊英 ;

汪荣军 ;

徐翼 ;

雷雨 ;

候文婷 ;

唐先敏 .

美国专利 :CN119522482A ,2025-02-25

[4]

低电阻率钨膜及制造方法 [P].

王飞虎 ;

李正周 ;

岑羲 ;

袁智博 ;

雷伟 ;

吴凯 ;

周春明 ;

陈哲擘 .

中国专利 :CN114946012A ,2022-08-26

[5]

低电阻率钨膜及制造方法 [P].

王飞虎 ;

李正周 ;

岑羲 ;

袁智博 ;

雷伟 ;

吴凯 ;

周春明 ;

陈哲擘 .

美国专利 :CN114946012B ,2025-09-26

[6]

低电阻率间隙填充 [P].

杨宗翰 ;

刘震 ;

高勇谦 ;

侯文婷 ;

汪荣军 .

美国专利 :CN120226140A ,2025-06-27

[7]

用于低电阻率及应力的钨间隙填充部的方法与装置 [P].

岑羲 ;

吴凯 ;

玄珉 ;

张潍铭 ;

汤姆何荣·余 ;

王珮琪 ;

姜宙翼 ;

王飞虎 ;

佐佐木信之 ;

周春明 .

中国专利 :CN115023792A ,2022-09-06

[8]

用于降低钨电阻率的方法和设备 [P].

侯文婷 ;

雷建新 ;

乔斯林甘·罗摩林甘 ;

普拉沙斯·科斯努 ;

威廉·R·约翰逊 .

中国专利 :CN115004335A ,2022-09-02

[9]

低电阻率接触 [P].

R.J.瑟里恩 ;

J.D.里德 ;

J.A.拉姆齐 ;

A.L.格雷 .

中国专利 :CN103890985A ,2014-06-25

[10]

利用PVD溅射法控制钨的电阻率及应力的方法 [P].

李佳英 ;

姜抗 ;

吴道铉 ;

中野贤明 ;

沼田幸展 ;

大久保拓 .

日本专利 :CN119278500A ,2025-01-07

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