低电阻率接触

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280044859.1

申请日：

2012-08-03

公开(公告)号：

CN103890985A

公开(公告)日：

2014-06-25

发明(设计)人：

R.J.瑟里恩 J.D.里德 J.A.拉姆齐 A.L.格雷

申请人：

申请人地址：

美国北卡罗来纳州

IPC主分类号：

H01L3510

IPC分类号：

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

马红梅;王忠忠

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-01-11	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101744751821 IPC(主分类):H01L 35/10 专利申请号:2012800448591 申请公布日:20140625
2014-09-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101586966469 IPC(主分类):H01L 35/10 专利申请号:2012800448591 申请日:20120803
2014-06-25	公开	公开

共 50 条

[1]

用于形成低电阻率接触的方法 [P].

吕疆 ;

吴立其 ;

窦伟 ;

叶伟峰 ;

陈世忠 ;

汪荣军 ;

唐先敏 ;

万一扬 ;

张书锚 ;

郭涧秋 .

美国专利 :CN119768908A ,2025-04-04

[2]

低电阻率的钽 [P].

E·C·库尼三世 ;

C·E·乌佐 .

中国专利 :CN1290940A ,2001-04-11

[3]

低电阻率石墨线 [P].

阮江军 ;

龚若涵 ;

胡元潮 ;

文武 ;

周军 ;

吴泳聪 .

中国专利 :CN204189471U ,2015-03-04

[4]

低电阻率间隙填充 [P].

杨宗翰 ;

刘震 ;

高勇谦 ;

侯文婷 ;

汪荣军 .

美国专利 :CN120226140A ,2025-06-27

[5]

半导体低电阻率欧姆接触结构及其制备方法 [P].

陈平 ;

苗裕田 ;

徐国印 ;

仲莉 ;

薛春来 .

中国专利 :CN119730353A ,2025-03-28

[6]

低欧姆接触电阻率的半导体结构及其半导体中间结构 [P].

姚广峰 ;

付文锋 .

中国专利 :CN223612844U ,2025-11-28

[7]

低电阻率铝合金杆 [P].

宋爱成 ;

蔺亚强 ;

张军 ;

肖凤 .

中国专利 :CN104805335A ,2015-07-29

[8]

低电阻率复合石墨线 [P].

武国亮 ;

李震宇 ;

牛彪 ;

王志利 ;

王强 ;

赵云峰 ;

喻光辉 ;

李欣 ;

饶欢 ;

赵定义 .

中国专利 :CN205194864U ,2016-04-27

[9]

具有低电阻率碳合金的晶体管 [P].

陆叶 ;

鲍军静 ;

杨斌 ;

戈立新 ;

岳云 .

中国专利 :CN110663116A ,2020-01-07

[10]

一种低接触电阻率和沟道迁移率的MOS半导体结构 [P].

许一力 .

中国专利 :CN118712230A ,2024-09-27

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