半导体低电阻率欧姆接触结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411700164.5

申请日：

2024-11-26

公开(公告)号：

CN119730353A

公开(公告)日：

2025-03-28

发明(设计)人：

陈平苗裕田徐国印仲莉薛春来

申请人：

中国科学院半导体研究所

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H10D64/62

IPC分类号：

H10D64/01

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

肖慧

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-15	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 64/62申请日:20241126
2025-03-28	公开	公开

共 50 条

[1]

低欧姆接触电阻率的半导体结构及其半导体中间结构 [P].

姚广峰 ;

付文锋 .

中国专利 :CN223612844U ,2025-11-28

[2]

低电阻率接触 [P].

R.J.瑟里恩 ;

J.D.里德 ;

J.A.拉姆齐 ;

A.L.格雷 .

中国专利 :CN103890985A ,2014-06-25

[3]

半导体-金属接触电阻率检测方法、阵列基板 [P].

李纪 ;

陈传宝 .

中国专利 :CN104407224A ,2015-03-11

[4]

P型半导体低阻欧姆接触结构及其制备方法 [P].

蒋春萍 ;

谷承艳 ;

林雨 ;

李玉雄 ;

刘峰峰 ;

隋展鹏 .

中国专利 :CN111223918A ,2020-06-02

[5]

低电阻率n－型半导体金刚石及其制备方法 [P].

难波晓彦 ;

今井贵浩 ;

竹内久雄 .

中国专利 :CN1692186A ,2005-11-02

[6]

制备低比接触电阻率的p-GaN欧姆接触的方法 [P].

李晓静 ;

赵德刚 ;

江德生 ;

刘宗顺 ;

朱建军 ;

陈平 .

中国专利 :CN104392916A ,2015-03-04

[7]

具有低接触电阻率的互补金属氧化物半导体及其形成方法 [P].

万幸仁 ;

柯志欣 ;

吴政宪 ;

时定康 ;

林浩宇 .

中国专利 :CN103915438B ,2014-07-09

[8]

降低比接触电阻率的半导体器件制备方法及半导体器件 [P].

许静 ;

刘畅 ;

罗军 ;

崔岩 .

中国专利 :CN120568785A ,2025-08-29

[9]

一种低接触电阻率和沟道迁移率的MOS半导体结构 [P].

许一力 .

中国专利 :CN118712230A ,2024-09-27

[10]

外延层电阻率的检测方法以及半导体结构 [P].

周津 .

中国专利 :CN120690700A ,2025-09-23

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