半导体-金属接触电阻率检测方法、阵列基板

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410705018.1

申请日：

2014-11-27

公开(公告)号：

CN104407224A

公开(公告)日：

2015-03-11

发明(设计)人：

李纪陈传宝

申请人：

申请人地址：

230012 安徽省合肥市新站区铜陵北路2177号

IPC主分类号：

G01R2708

IPC分类号：

H01L23544

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

柴亮;张天舒

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-03-11	公开	公开
2015-04-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101604808491 IPC(主分类):G01R 27/08 专利申请号:2014107050181 申请日:20141127
2018-05-04	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G01R 27/08 申请公布日:20150311

共 50 条

[1]

降低比接触电阻率的半导体器件制备方法及半导体器件 [P].

许静 ;

刘畅 ;

罗军 ;

崔岩 .

中国专利 :CN120568785A ,2025-08-29

[2]

低欧姆接触电阻率的半导体结构及其半导体中间结构 [P].

姚广峰 ;

付文锋 .

中国专利 :CN223612844U ,2025-11-28

[3]

具有低接触电阻率的互补金属氧化物半导体及其形成方法 [P].

万幸仁 ;

柯志欣 ;

吴政宪 ;

时定康 ;

林浩宇 .

中国专利 :CN103915438B ,2014-07-09

[4]

半导体低电阻率欧姆接触结构及其制备方法 [P].

陈平 ;

苗裕田 ;

徐国印 ;

仲莉 ;

薛春来 .

中国专利 :CN119730353A ,2025-03-28

[5]

便携式半导体非接触电阻率测试仪 [P].

李杰 ;

刘世伟 ;

于友 ;

石坚 .

中国专利 :CN304200347S ,2017-07-11

[6]

低电阻率接触 [P].

R.J.瑟里恩 ;

J.D.里德 ;

J.A.拉姆齐 ;

A.L.格雷 .

中国专利 :CN103890985A ,2014-06-25

[7]

外延层电阻率的检测方法以及半导体结构 [P].

周津 .

中国专利 :CN120690700A ,2025-09-23

[8]

便携式半导体非接触电阻率测试仪探头 [P].

李杰 ;

于友 ;

刘世伟 ;

石坚 .

中国专利 :CN304279306S ,2017-09-12

[9]

太阳能电池片比接触电阻率的检测方法 [P].

关统州 ;

唐义武 ;

宋楠 .

中国专利 :CN121124734A ,2025-12-12

[10]

接触电阻率的测量方法及装置 [P].

崔会英 ;

蒋硕 ;

仲崇娇 ;

钱亮 ;

嵇友谊 ;

钱晟浩 .

中国专利 :CN106298570A ,2017-01-04

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