具有低接触电阻率的互补金属氧化物半导体及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310105573.6

申请日：

2013-03-28

公开(公告)号：

CN103915438B

公开(公告)日：

2014-07-09

发明(设计)人：

万幸仁柯志欣吴政宪时定康林浩宇

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L27092

IPC分类号：

H01L23532 H01L218238 H01L21768

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;孙征

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-07-09	公开	公开
2014-08-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101584239352 IPC(主分类):H01L 27/092 专利申请号:2013101055736 申请日:20130328
2016-12-28	授权	授权

共 50 条

[1]

互补金属氧化物半导体及其形成方法 [P].

O·格卢斯陈克夫 ;

M·P·别良斯基 ;

J·A·曼德尔曼 ;

B·B·多里斯 .

中国专利 :CN1812101A ,2006-08-02

[2]

互补金属氧化物半导体及其形成方法 [P].

亚历山大·赖茨尼赛克 ;

德文德拉·K·萨德纳 ;

刘孝诚 .

中国专利 :CN101055851B ,2007-10-17

[3]

半导体元件、互补金属氧化物半导体元件及其形成方法 [P].

洪国信 .

中国专利 :CN101154594A ,2008-04-02

[4]

一种互补金属氧化物半导体及其形成方法 [P].

阿图尔·C·阿杰梅里 ;

安德里斯·布莱恩特 ;

珀西·V·吉尔伯特 ;

迈克尔·A·格里博尔尤克 ;

爱德华·P·马切耶夫斯基 ;

瑞尼·T·默 ;

什瑞什·那拉辛哈 .

中国专利 :CN1601725A ,2005-03-30

[5]

互补金属氧化物半导体器件应力层的形成方法 [P].

吴汉明 .

中国专利 :CN101330053A ,2008-12-24

[6]

互补金属氧化物半导体(CMOS)超声换能器及其形成方法 [P].

乔纳森·M·罗思伯格 ;

基思·G·菲费 ;

泰勒·S·拉尔斯顿 ;

格雷戈里·L·哈尔瓦特 ;

内华达·J·桑切斯 .

中国专利 :CN105307975B ,2016-02-03

[7]

互补金属氧化物半导体 [P].

欧阳齐庆 ;

马西莫·菲谢蒂 .

中国专利 :CN101326631B ,2008-12-17

[8]

制造具有互补金属氧化物半导体结构半导体器件的方法 [P].

安彦仁 .

中国专利 :CN1156902A ,1997-08-13

[9]

3D互补金属氧化物半导体(CMOS)器件及其形成方法 [P].

H·吉姆·富尔福德 ;

安东·J·德维利耶 ;

马克·加德纳 ;

丹尼尔·沙内穆加梅 ;

杰弗里·史密斯 ;

拉尔斯·利布曼 ;

苏巴迪普·卡尔 .

中国专利 :CN114902399A ,2022-08-12

[10]

互补金属氧化物半导体电路 [P].

卢超群 ;

杜文仙 .

中国专利 :CN119108400A ,2024-12-10

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