低电阻率n－型半导体金刚石及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200380100213.1

申请日：

2003-12-22

公开(公告)号：

CN1692186A

公开(公告)日：

2005-11-02

发明(设计)人：

难波晓彦今井贵浩竹内久雄

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

C30B2904

IPC分类号：

H01L21205

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

程金山

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-11-02	公开	公开
2007-09-12	授权	授权
2012-02-29	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101192127307 IPC(主分类):H01L 21/205 专利号:ZL2003801002131 申请日:20031222 授权公告日:20070912 终止日期:20101222
2005-12-28	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

制备n－型半导体金刚石的方法及n－型半导体金刚石 [P].

难波晓彦 ;

山本喜之 ;

角谷均 ;

西林良树 ;

今井贵浩 .

中国专利 :CN100409408C ,2005-12-14

[2]

n型半导体金刚石的制造方法及半导体金刚石 [P].

难波晓彦 ;

今井贵浩 ;

西林良树 .

中国专利 :CN1331235C ,2005-08-31

[3]

N型金刚石半导体单晶及其生产方法 [P].

黄美玲 .

中国专利 :CN103103609A ,2013-05-15

[4]

半导体低电阻率欧姆接触结构及其制备方法 [P].

陈平 ;

苗裕田 ;

徐国印 ;

仲莉 ;

薛春来 .

中国专利 :CN119730353A ,2025-03-28

[5]

一种共掺杂N型金刚石及其制备方法、半导体材料和半导体器件 [P].

杨扬 ;

唐永炳 .

中国专利 :CN119753834A ,2025-04-04

[6]

掺杂金刚石半导体及其制造方法 [P].

埃里克·大卫·波斯威尔 .

中国专利 :CN110998796A ,2020-04-10

[7]

金刚石半导体元件及其制造方法 [P].

嘉数诚 ;

牧本俊树 ;

植田研二 ;

山内喜晴 .

中国专利 :CN100508144C ,2007-10-10

[8]

金刚石半导体装置及其制造方法 [P].

加藤宙光 ;

牧野俊晴 ;

小仓政彦 ;

竹内大辅 ;

山崎聪 ;

波多野睦子 ;

岩崎孝之 .

中国专利 :CN104541364A ,2015-04-22

[9]

金刚石衬底的制备方法、金刚石衬底及半导体器件 [P].

刘新科 ;

钟智祥 ;

范康凯 ;

李一阳 ;

陈春燕 ;

黎晓华 ;

王铠丰 ;

何军 ;

刘河洲 .

中国专利 :CN121006616A ,2025-11-25

[10]

一种金刚石半导体器件的制备方法及金刚石半导体器件 [P].

吴国光 ;

王增将 ;

任檬檬 ;

王孝秋 ;

张宝林 .

中国专利 :CN118156126B ,2024-12-31

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