金刚石半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380042569.8

申请日：

2013-08-08

公开(公告)号：

CN104541364A

公开(公告)日：

2015-04-22

发明(设计)人：

加藤宙光牧野俊晴小仓政彦竹内大辅山崎聪波多野睦子岩崎孝之

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L21337

IPC分类号：

H01L21336 H01L21338 H01L27098 H01L2912 H01L2978 H01L29808 H01L29812

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司 11245

代理人：

赵蓉民

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-01-26	授权	授权
2015-04-22	公开	公开
2015-05-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101609890694 IPC(主分类):H01L 21/337 专利申请号:2013800425698 申请日:20130808

共 50 条

[1]

掺杂金刚石半导体及其制造方法 [P].

埃里克·大卫·波斯威尔 .

中国专利 :CN110998796A ,2020-04-10

[2]

金刚石半导体元件及其制造方法 [P].

嘉数诚 ;

牧本俊树 ;

植田研二 ;

山内喜晴 .

中国专利 :CN100508144C ,2007-10-10

[3]

n型半导体金刚石的制造方法及半导体金刚石 [P].

难波晓彦 ;

今井贵浩 ;

西林良树 .

中国专利 :CN1331235C ,2005-08-31

[4]

金刚石半导体器件及其制造方法 [P].

横田嘉宏 ;

川上信之 ;

橘武史 ;

林和志 .

中国专利 :CN100401529C ,2005-06-15

[5]

金刚石上半导体衬底、用于制造金刚石上半导体衬底的前体及其制造方法 [P].

M·H·H·库博尔 ;

J·W·波默罗伊 ;

M·J·尤伦 ;

O·A·威廉姆斯 .

中国专利 :CN112673455A ,2021-04-16

[6]

金刚石上半导体衬底、用于制造金刚石上半导体衬底的前体及其制造方法 [P].

M·H·H·库博尔 ;

J·W·波默罗伊 ;

M·J·尤伦 ;

O·A·威廉姆斯 .

英国专利 :CN112673455B ,2024-12-31

[7]

金刚石半导体器件 [P].

格丽斯·安德鲁·泰勒 .

中国专利 :CN110431670A ,2019-11-08

[8]

金刚石衬底的制备方法、金刚石衬底及半导体器件 [P].

刘新科 ;

钟智祥 ;

范康凯 ;

李一阳 ;

陈春燕 ;

黎晓华 ;

王铠丰 ;

何军 ;

刘河洲 .

中国专利 :CN121006616A ,2025-11-25

[9]

金刚石衬底及其制造方法 [P].

目黑贵一 ;

谷崎圭祐 ;

难波晓彦 ;

山本喜之 ;

今井贵浩 .

中国专利 :CN1840748A ,2006-10-04

[10]

金刚石基氧化镓半导体结构及其制备方法 [P].

欧欣 ;

赵天成 ;

徐文慧 ;

游天桂 ;

瞿振宇 .

中国专利 :CN117577518A ,2024-02-20

← 1 2 3 4 5 →