n型半导体金刚石的制造方法及半导体金刚石

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03814068.3

申请日：

2003-06-18

公开(公告)号：

CN1331235C

公开(公告)日：

2005-08-31

发明(设计)人：

难波晓彦今井贵浩西林良树

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L2712

IPC分类号：

C30B2904

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

朱丹

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-08-12	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101620094158 IPC(主分类):H01L 27/12 专利号:ZL038140683 申请日:20030618 授权公告日:20070808 终止日期:20140618
2005-10-26	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-08-31	公开	公开
2007-08-08	授权	授权

共 50 条

[1]

制备n－型半导体金刚石的方法及n－型半导体金刚石 [P].

难波晓彦 ;

山本喜之 ;

角谷均 ;

西林良树 ;

今井贵浩 .

中国专利 :CN100409408C ,2005-12-14

[2]

金刚石半导体器件 [P].

格丽斯·安德鲁·泰勒 .

中国专利 :CN110431670A ,2019-11-08

[3]

掺杂金刚石半导体及其制造方法 [P].

埃里克·大卫·波斯威尔 .

中国专利 :CN110998796A ,2020-04-10

[4]

金刚石半导体元件及其制造方法 [P].

嘉数诚 ;

牧本俊树 ;

植田研二 ;

山内喜晴 .

中国专利 :CN100508144C ,2007-10-10

[5]

金刚石衬底的制备方法、金刚石衬底及半导体器件 [P].

刘新科 ;

钟智祥 ;

范康凯 ;

李一阳 ;

陈春燕 ;

黎晓华 ;

王铠丰 ;

何军 ;

刘河洲 .

中国专利 :CN121006616A ,2025-11-25

[6]

金刚石半导体装置及其制造方法 [P].

加藤宙光 ;

牧野俊晴 ;

小仓政彦 ;

竹内大辅 ;

山崎聪 ;

波多野睦子 ;

岩崎孝之 .

中国专利 :CN104541364A ,2015-04-22

[7]

金刚石n型半导体及其制造方法、半导体元件及电子发射元件 [P].

难波晓彦 ;

西林良树 ;

今井贵浩 .

中国专利 :CN1883052A ,2006-12-20

[8]

加工金刚石的方法以及利用金刚石半导体的器械 [P].

R·C·里纳雷斯 ;

P·J·多林 ;

B·里纳雷斯 ;

A·R·吉尼斯 ;

W·W·德罗米肖瑟 ;

M·默里 ;

A·E·诺韦克 ;

J·M·亚伯拉罕 .

中国专利 :CN101203939B ,2008-06-18

[9]

金刚石上半导体衬底、用于制造金刚石上半导体衬底的前体及其制造方法 [P].

M·H·H·库博尔 ;

J·W·波默罗伊 ;

M·J·尤伦 ;

O·A·威廉姆斯 .

中国专利 :CN112673455A ,2021-04-16

[10]

掺硼的金刚石半导体 [P].

R·里纳雷斯 .

中国专利 :CN101160642A ,2008-04-09

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