金刚石n型半导体及其制造方法、半导体元件及电子发射元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200480033959.X

申请日：

2004-11-17

公开(公告)号：

CN1883052A

公开(公告)日：

2006-12-20

发明(设计)人：

难波晓彦西林良树今井贵浩

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L2916

IPC分类号：

H01L2966 H01J130

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

李香兰

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-01-28	授权	授权
2014-12-31	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101594123550 IPC(主分类):H01L 29/16 专利号:ZL200480033959X 申请日:20041117 授权公告日:20090128 终止日期:20131117
2007-02-14	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-12-20	公开	公开

共 50 条

[1]

金刚石半导体元件及其制造方法 [P].

嘉数诚 ;

牧本俊树 ;

植田研二 ;

山内喜晴 .

中国专利 :CN100508144C ,2007-10-10

[2]

n型半导体金刚石的制造方法及半导体金刚石 [P].

难波晓彦 ;

今井贵浩 ;

西林良树 .

中国专利 :CN1331235C ,2005-08-31

[3]

单晶金刚石和使用该单晶金刚石的半导体元件 [P].

大曲新矢 ;

山田英明 ;

茶谷原昭义 ;

杢野由明 .

中国专利 :CN111492098A ,2020-08-04

[4]

制备n－型半导体金刚石的方法及n－型半导体金刚石 [P].

难波晓彦 ;

山本喜之 ;

角谷均 ;

西林良树 ;

今井贵浩 .

中国专利 :CN100409408C ,2005-12-14

[5]

半导体元件及半导体元件制造方法 [P].

幸田了祐 ;

平田公祐 .

中国专利 :CN115461848A ,2022-12-09

[6]

半导体元件及半导体元件制造方法 [P].

幸田了祐 ;

平田公祐 .

日本专利 :CN115461848B ,2025-12-05

[7]

制造半导体元件的方法及其半导体元件 [P].

哈尔代恩·S·亨利 ;

达赖尔·G·西尔 ;

乔纳森·K·阿布洛克瓦 ;

马里穆·G·萨达卡 .

中国专利 :CN1468443A ,2004-01-14

[8]

半导体元件的制造方法及其半导体元件 [P].

王昭雄 ;

黄健朝 ;

胡正明 ;

曾鸿辉 .

中国专利 :CN101043022B ,2007-09-26

[9]

半导体元件以及半导体元件的制造方法 [P].

大野彰仁 ;

竹见政义 ;

富田信之 .

中国专利 :CN100550440C ,2006-06-07

[10]

半导体元件、半导体元件的制造方法及电子装置 [P].

佐佐木直人 .

中国专利 :CN105814670B ,2016-07-27

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