掺杂金刚石半导体及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880053445.2

申请日：

2018-06-18

公开(公告)号：

CN110998796A

公开(公告)日：

2020-04-10

发明(设计)人：

埃里克·大卫·波斯威尔

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州圣何塞210室圣克拉拉街115号

IPC主分类号：

H01L21268

IPC分类号：

C30B2904

代理机构：

深圳新创友知识产权代理有限公司 44223

代理人：

江耀纯

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-04-10	公开	公开
2020-06-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/268 申请日:20180618

共 50 条

[1]

n型半导体金刚石的制造方法及半导体金刚石 [P].

难波晓彦 ;

今井贵浩 ;

西林良树 .

中国专利 :CN1331235C ,2005-08-31

[2]

金刚石半导体元件及其制造方法 [P].

嘉数诚 ;

牧本俊树 ;

植田研二 ;

山内喜晴 .

中国专利 :CN100508144C ,2007-10-10

[3]

金刚石半导体装置及其制造方法 [P].

加藤宙光 ;

牧野俊晴 ;

小仓政彦 ;

竹内大辅 ;

山崎聪 ;

波多野睦子 ;

岩崎孝之 .

中国专利 :CN104541364A ,2015-04-22

[4]

金刚石半导体器件 [P].

格丽斯·安德鲁·泰勒 .

中国专利 :CN110431670A ,2019-11-08

[5]

金刚石半导体器件及其制造方法 [P].

横田嘉宏 ;

川上信之 ;

橘武史 ;

林和志 .

中国专利 :CN100401529C ,2005-06-15

[6]

金刚石上半导体衬底、用于制造金刚石上半导体衬底的前体及其制造方法 [P].

M·H·H·库博尔 ;

J·W·波默罗伊 ;

M·J·尤伦 ;

O·A·威廉姆斯 .

中国专利 :CN112673455A ,2021-04-16

[7]

金刚石上半导体衬底、用于制造金刚石上半导体衬底的前体及其制造方法 [P].

M·H·H·库博尔 ;

J·W·波默罗伊 ;

M·J·尤伦 ;

O·A·威廉姆斯 .

英国专利 :CN112673455B ,2024-12-31

[8]

铁掺杂金刚石稀磁半导体及其制备方法 [P].

赵洪阳 ;

马志斌 ;

程振祥 ;

王欢 ;

蔡康 .

中国专利 :CN108914086A ,2018-11-30

[9]

一种超宽禁带半导体双掺杂金刚石及其制备方法 [P].

薄一恒 ;

李林林 ;

王立群 .

中国专利 :CN116377576B ,2025-07-11

[10]

具有铜/金刚石复合材料的半导体衬底及其制造方法 [P].

约翰·W·麦科伊 .

中国专利 :CN1768420A ,2006-05-03

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