金刚石上半导体衬底、用于制造金刚石上半导体衬底的前体及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980057085.8

申请日：

2019-08-23

公开(公告)号：

CN112673455A

公开(公告)日：

2021-04-16

发明(设计)人：

M·H·H·库博尔 J·W·波默罗伊 M·J·尤伦 O·A·威廉姆斯

申请人：

申请人地址：

英国布里斯托

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

北京天达知识产权代理事务所(普通合伙) 11386

代理人：

丛洪杰;武悦

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20190823
2021-04-16	公开	公开

共 50 条

[1]

金刚石上半导体衬底、用于制造金刚石上半导体衬底的前体及其制造方法 [P].

M·H·H·库博尔 ;

J·W·波默罗伊 ;

M·J·尤伦 ;

O·A·威廉姆斯 .

英国专利 :CN112673455B ,2024-12-31

[2]

金刚石衬底的制备方法、金刚石衬底及半导体器件 [P].

刘新科 ;

钟智祥 ;

范康凯 ;

李一阳 ;

陈春燕 ;

黎晓华 ;

王铠丰 ;

何军 ;

刘河洲 .

中国专利 :CN121006616A ,2025-11-25

[3]

n型半导体金刚石的制造方法及半导体金刚石 [P].

难波晓彦 ;

今井贵浩 ;

西林良树 .

中国专利 :CN1331235C ,2005-08-31

[4]

金刚石衬底及其制造方法 [P].

目黑贵一 ;

谷崎圭祐 ;

难波晓彦 ;

山本喜之 ;

今井贵浩 .

中国专利 :CN1840748A ,2006-10-04

[5]

掺杂金刚石半导体及其制造方法 [P].

埃里克·大卫·波斯威尔 .

中国专利 :CN110998796A ,2020-04-10

[6]

金刚石半导体元件及其制造方法 [P].

嘉数诚 ;

牧本俊树 ;

植田研二 ;

山内喜晴 .

中国专利 :CN100508144C ,2007-10-10

[7]

金刚石半导体装置及其制造方法 [P].

加藤宙光 ;

牧野俊晴 ;

小仓政彦 ;

竹内大辅 ;

山崎聪 ;

波多野睦子 ;

岩崎孝之 .

中国专利 :CN104541364A ,2015-04-22

[8]

金刚石衬底及其制造方法 [P].

野口仁 ;

德田规夫 ;

松本翼 .

中国专利 :CN112813409A ,2021-05-18

[9]

具有铜/金刚石复合材料的半导体衬底及其制造方法 [P].

约翰·W·麦科伊 .

中国专利 :CN102214620B ,2011-10-12

[10]

具有铜/金刚石复合材料的半导体衬底及其制造方法 [P].

约翰·W·麦科伊 .

中国专利 :CN1768420A ,2006-05-03

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