金刚石半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880019196.5

申请日：

2018-02-28

公开(公告)号：

CN110431670A

公开(公告)日：

2019-11-08

发明(设计)人：

格丽斯·安德鲁·泰勒

申请人：

申请人地址：

英国纽卡斯尔

IPC主分类号：

H01L29861

IPC分类号：

H01L21329 H01L2916 H01L2906 H01L2104

代理机构：

上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260

代理人：

成丽杰

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-11-08	公开	公开
2020-03-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/861 申请日:20180228

共 50 条

[1]

一种金刚石半导体器件的制备方法及金刚石半导体器件 [P].

吴国光 ;

王增将 ;

任檬檬 ;

王孝秋 ;

张宝林 .

中国专利 :CN118156126B ,2024-12-31

[2]

一种金刚石半导体器件的制备方法及金刚石半导体器件 [P].

吴国光 ;

王增将 ;

任檬檬 ;

王孝秋 ;

张宝林 .

中国专利 :CN118156126A ,2024-06-07

[3]

金刚石衬底的制备方法、金刚石衬底及半导体器件 [P].

刘新科 ;

钟智祥 ;

范康凯 ;

李一阳 ;

陈春燕 ;

黎晓华 ;

王铠丰 ;

何军 ;

刘河洲 .

中国专利 :CN121006616A ,2025-11-25

[4]

n型半导体金刚石的制造方法及半导体金刚石 [P].

难波晓彦 ;

今井贵浩 ;

西林良树 .

中国专利 :CN1331235C ,2005-08-31

[5]

金刚石半导体器件及其制造方法 [P].

横田嘉宏 ;

川上信之 ;

橘武史 ;

林和志 .

中国专利 :CN100401529C ,2005-06-15

[6]

金刚石半导体器件及其制作方法 [P].

王宏跃 ;

柳月波 ;

何亮 ;

刘红辉 ;

陈媛 .

中国专利 :CN119300447A ,2025-01-10

[7]

制备n－型半导体金刚石的方法及n－型半导体金刚石 [P].

难波晓彦 ;

山本喜之 ;

角谷均 ;

西林良树 ;

今井贵浩 .

中国专利 :CN100409408C ,2005-12-14

[8]

掺杂金刚石半导体及其制造方法 [P].

埃里克·大卫·波斯威尔 .

中国专利 :CN110998796A ,2020-04-10

[9]

金刚石半导体系统及方法 [P].

亚当·卡恩 .

中国专利 :CN103717791A ,2014-04-09

[10]

金刚石半导体系统及方法 [P].

亚当·卡恩 .

中国专利 :CN114420747A ,2022-04-29

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