金刚石半导体系统及方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280038078.1

申请日：

2012-07-20

公开(公告)号：

CN103717791A

公开(公告)日：

2014-04-09

发明(设计)人：

亚当·卡恩

申请人：

申请人地址：

美国伊利诺斯州

IPC主分类号：

C30B2904

IPC分类号：

C30B3100

代理机构：

北京安信方达知识产权代理有限公司 11262

代理人：

白云;郑霞

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-28	授权	授权
2015-01-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101596312112 IPC(主分类):C30B 29/04 专利申请号:2012800380781 申请日:20120720
2014-04-09	公开	公开

共 50 条

[1]

金刚石半导体系统及方法 [P].

亚当·卡恩 .

中国专利 :CN114420747A ,2022-04-29

[2]

金刚石半导体器件 [P].

格丽斯·安德鲁·泰勒 .

中国专利 :CN110431670A ,2019-11-08

[3]

n型半导体金刚石的制造方法及半导体金刚石 [P].

难波晓彦 ;

今井贵浩 ;

西林良树 .

中国专利 :CN1331235C ,2005-08-31

[4]

加工金刚石的方法以及利用金刚石半导体的器械 [P].

R·C·里纳雷斯 ;

P·J·多林 ;

B·里纳雷斯 ;

A·R·吉尼斯 ;

W·W·德罗米肖瑟 ;

M·默里 ;

A·E·诺韦克 ;

J·M·亚伯拉罕 .

中国专利 :CN101203939B ,2008-06-18

[5]

一种金刚石半导体器件的制备方法及金刚石半导体器件 [P].

吴国光 ;

王增将 ;

任檬檬 ;

王孝秋 ;

张宝林 .

中国专利 :CN118156126B ,2024-12-31

[6]

一种金刚石半导体器件的制备方法及金刚石半导体器件 [P].

吴国光 ;

王增将 ;

任檬檬 ;

王孝秋 ;

张宝林 .

中国专利 :CN118156126A ,2024-06-07

[7]

金刚石衬底的制备方法、金刚石衬底及半导体器件 [P].

刘新科 ;

钟智祥 ;

范康凯 ;

李一阳 ;

陈春燕 ;

黎晓华 ;

王铠丰 ;

何军 ;

刘河洲 .

中国专利 :CN121006616A ,2025-11-25

[8]

掺硼的金刚石半导体 [P].

R·里纳雷斯 .

中国专利 :CN101160642A ,2008-04-09

[9]

制备n－型半导体金刚石的方法及n－型半导体金刚石 [P].

难波晓彦 ;

山本喜之 ;

角谷均 ;

西林良树 ;

今井贵浩 .

中国专利 :CN100409408C ,2005-12-14

[10]

基于低成本单晶金刚石制备高性能金刚石半导体的方法 [P].

刘金龙 ;

李成明 ;

林亮珍 ;

郑宇亭 ;

赵云 ;

闫雄伯 ;

陈良贤 ;

魏俊俊 ;

黑立富 ;

张建军 .

中国专利 :CN107275192B ,2017-10-20

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