一种共掺杂N型金刚石及其制备方法、半导体材料和半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411935900.5

申请日：

2024-12-26

公开(公告)号：

CN119753834A

公开(公告)日：

2025-04-04

发明(设计)人：

杨扬唐永炳

申请人：

中国科学院深圳先进技术研究院

申请人地址：

518055 广东省深圳市南山区深圳大学城学苑大道1068号

IPC主分类号：

C30B29/04

IPC分类号：

C01B32/28 H01L21/04 C30B25/20 C23C16/27 C23C16/511

代理机构：

广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205

代理人：

薛建强

法律状态：

公开

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-04	公开	公开
2025-04-22	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/04申请日:20241226

共 50 条

[1]

金刚石半导体器件 [P].

格丽斯·安德鲁·泰勒 .

中国专利 :CN110431670A ,2019-11-08

[2]

氮硫共掺杂n型半导体金刚石材料及其制备方法 [P].

李红东 ;

万琳丰 ;

王旌丞 ;

成绍恒 ;

王启亮 ;

刘钧松 ;

高楠 .

中国专利 :CN109881248B ,2019-06-14

[3]

一种金刚石半导体器件的制备方法及金刚石半导体器件 [P].

吴国光 ;

王增将 ;

任檬檬 ;

王孝秋 ;

张宝林 .

中国专利 :CN118156126B ,2024-12-31

[4]

一种金刚石半导体器件的制备方法及金刚石半导体器件 [P].

吴国光 ;

王增将 ;

任檬檬 ;

王孝秋 ;

张宝林 .

中国专利 :CN118156126A ,2024-06-07

[5]

n型共掺杂金刚石半导体材料制备的多尺度耦合仿真方法 [P].

李辉 ;

刘胜 ;

申胜男 ;

邹迪玮 ;

沈威 .

中国专利 :CN113096749A ,2021-07-09

[6]

n型半导体金刚石的制造方法及半导体金刚石 [P].

难波晓彦 ;

今井贵浩 ;

西林良树 .

中国专利 :CN1331235C ,2005-08-31

[7]

制备n－型半导体金刚石的方法及n－型半导体金刚石 [P].

难波晓彦 ;

山本喜之 ;

角谷均 ;

西林良树 ;

今井贵浩 .

中国专利 :CN100409408C ,2005-12-14

[8]

掺杂金刚石半导体及其制造方法 [P].

埃里克·大卫·波斯威尔 .

中国专利 :CN110998796A ,2020-04-10

[9]

一种共掺杂金刚石及制备方法与半导体材料、装置 [P].

彭建国 ;

陈宏伟 ;

彭伟华 ;

孔智超 .

中国专利 :CN110565066B ,2019-12-13

[10]

金刚石衬底的制备方法、金刚石衬底及半导体器件 [P].

刘新科 ;

钟智祥 ;

范康凯 ;

李一阳 ;

陈春燕 ;

黎晓华 ;

王铠丰 ;

何军 ;

刘河洲 .

中国专利 :CN121006616A ,2025-11-25

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