n型共掺杂金刚石半导体材料制备的多尺度耦合仿真方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110646664.5

申请日：

2021-06-10

公开(公告)号：

CN113096749A

公开(公告)日：

2021-07-09

发明(设计)人：

李辉刘胜申胜男邹迪玮沈威

申请人：

申请人地址：

518057 广东省深圳市南山高新区粤兴二道6号武汉大学深圳产研楼A302室

IPC主分类号：

G16C6000

IPC分类号：

G16C2010 G16C2030 G16C1000 G16C2090 G06F3028 G06F3023 G06F11308 G06F11908 G06F11914

代理机构：

武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222

代理人：

李炜

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-05	授权	授权
2021-07-09	公开	公开
2021-07-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G16C 60/00 申请日:20210610

共 50 条

[1]

氮硫共掺杂n型半导体金刚石材料及其制备方法 [P].

李红东 ;

万琳丰 ;

王旌丞 ;

成绍恒 ;

王启亮 ;

刘钧松 ;

高楠 .

中国专利 :CN109881248B ,2019-06-14

[2]

一种共掺杂N型金刚石及其制备方法、半导体材料和半导体器件 [P].

杨扬 ;

唐永炳 .

中国专利 :CN119753834A ,2025-04-04

[3]

n型半导体金刚石的制造方法及半导体金刚石 [P].

难波晓彦 ;

今井贵浩 ;

西林良树 .

中国专利 :CN1331235C ,2005-08-31

[4]

一种共掺杂金刚石及制备方法与半导体材料、装置 [P].

彭建国 ;

陈宏伟 ;

彭伟华 ;

孔智超 .

中国专利 :CN110565066B ,2019-12-13

[5]

制备n－型半导体金刚石的方法及n－型半导体金刚石 [P].

难波晓彦 ;

山本喜之 ;

角谷均 ;

西林良树 ;

今井贵浩 .

中国专利 :CN100409408C ,2005-12-14

[6]

n型CVD共掺杂金刚石薄膜的制备方法 [P].

李荣斌 ;

徐建辉 .

中国专利 :CN100390316C ,2006-07-19

[7]

掺杂金刚石半导体及其制造方法 [P].

埃里克·大卫·波斯威尔 .

中国专利 :CN110998796A ,2020-04-10

[8]

制备图形化金刚石的方法、图像化金刚石半导体材料 [P].

刘锋 ;

刘胜 ;

郑怀 ;

王韬杰 ;

张儒钰 ;

刘岚 .

中国专利 :CN120666308A ,2025-09-19

[9]

n型掺杂金刚石及制备方法 [P].

王镇 ;

金鹏 ;

屈鹏霏 ;

曹繁秋 ;

韩煦 ;

王占国 .

中国专利 :CN120273028A ,2025-07-08

[10]

金刚石衬底的制备方法、金刚石衬底及半导体器件 [P].

刘新科 ;

钟智祥 ;

范康凯 ;

李一阳 ;

陈春燕 ;

黎晓华 ;

王铠丰 ;

何军 ;

刘河洲 .

中国专利 :CN121006616A ,2025-11-25

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