制备图形化金刚石的方法、图像化金刚石半导体材料

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510677388.7

申请日：

2025-05-23

公开(公告)号：

CN120666308A

公开(公告)日：

2025-09-19

发明(设计)人：

刘锋刘胜郑怀王韬杰张儒钰刘岚

申请人：

武汉大学

申请人地址：

430072 湖北省武汉市武昌区八一路299号

IPC主分类号：

C23C16/04

IPC分类号：

C23C16/27 B23K26/364 B23K26/60 C23C16/511

代理机构：

北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201

代理人：

佟震阳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

湖北省武汉市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-10	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/04申请日:20250523
2025-09-19	公开	公开

共 50 条

[1]

图形化金刚石的制备方法和具有图形化金刚石的制品及其应用 [P].

江南 ;

鲁云祥 ;

王博 ;

褚伍波 ;

杨国永 .

中国专利 :CN116288244B ,2025-05-27

[2]

金刚石表面图形化的制备方法 [P].

满卫东 ;

汪建华 ;

马志斌 ;

王升高 ;

王传新 ;

谢鹏 ;

孙蕾 .

中国专利 :CN101118378B ,2008-02-06

[3]

金刚石膜刻蚀方法、图形化金刚石膜及其应用 [P].

杨国永 ;

江南 ;

马洪兵 ;

王博 ;

褚伍波 .

中国专利 :CN113621947A ,2021-11-09

[4]

金刚石衬底的制备方法、金刚石衬底及半导体器件 [P].

刘新科 ;

钟智祥 ;

范康凯 ;

李一阳 ;

陈春燕 ;

黎晓华 ;

王铠丰 ;

何军 ;

刘河洲 .

中国专利 :CN121006616A ,2025-11-25

[5]

n型半导体金刚石的制造方法及半导体金刚石 [P].

难波晓彦 ;

今井贵浩 ;

西林良树 .

中国专利 :CN1331235C ,2005-08-31

[6]

金刚石半导体器件 [P].

格丽斯·安德鲁·泰勒 .

中国专利 :CN110431670A ,2019-11-08

[7]

加工金刚石的方法以及利用金刚石半导体的器械 [P].

R·C·里纳雷斯 ;

P·J·多林 ;

B·里纳雷斯 ;

A·R·吉尼斯 ;

W·W·德罗米肖瑟 ;

M·默里 ;

A·E·诺韦克 ;

J·M·亚伯拉罕 .

中国专利 :CN101203939B ,2008-06-18

[8]

用于合成半导体金刚石的石墨材料以及由该材料制备的半导体金刚石 [P].

福长修 ;

大久保博 ;

曾我部敏明 ;

东城哲朗 .

中国专利 :CN1582257A ,2005-02-16

[9]

金刚石薄膜表面金属图形化的制备方法 [P].

只金芳 ;

田如海 .

中国专利 :CN1891673A ,2007-01-10

[10]

基于低成本单晶金刚石制备高性能金刚石半导体的方法 [P].

刘金龙 ;

李成明 ;

林亮珍 ;

郑宇亭 ;

赵云 ;

闫雄伯 ;

陈良贤 ;

魏俊俊 ;

黑立富 ;

张建军 .

中国专利 :CN107275192B ,2017-10-20

← 1 2 3 4 5 →