用于合成半导体金刚石的石墨材料以及由该材料制备的半导体金刚石

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01823915.3

申请日：

2001-12-28

公开(公告)号：

CN1582257A

公开(公告)日：

2005-02-16

发明(设计)人：

福长修大久保博曾我部敏明东城哲朗

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

C01B3106

IPC分类号：

B01J306 C04B35528

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

郭煜;庞立志

法律状态：

授权

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-12-12	授权	授权
2005-02-16	公开	公开
2017-02-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101705179254 IPC(主分类):C01B 31/06 专利号:ZL018239153 申请日:20011228 授权公告日:20071212 终止日期:20151228
2005-04-20	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

n型半导体金刚石的制造方法及半导体金刚石 [P].

难波晓彦 ;

今井贵浩 ;

西林良树 .

中国专利 :CN1331235C ,2005-08-31

[2]

金刚石半导体器件 [P].

格丽斯·安德鲁·泰勒 .

中国专利 :CN110431670A ,2019-11-08

[3]

加工金刚石的方法以及利用金刚石半导体的器械 [P].

R·C·里纳雷斯 ;

P·J·多林 ;

B·里纳雷斯 ;

A·R·吉尼斯 ;

W·W·德罗米肖瑟 ;

M·默里 ;

A·E·诺韦克 ;

J·M·亚伯拉罕 .

中国专利 :CN101203939B ,2008-06-18

[4]

制备图形化金刚石的方法、图像化金刚石半导体材料 [P].

刘锋 ;

刘胜 ;

郑怀 ;

王韬杰 ;

张儒钰 ;

刘岚 .

中国专利 :CN120666308A ,2025-09-19

[5]

单晶金刚石和使用该单晶金刚石的半导体元件 [P].

大曲新矢 ;

山田英明 ;

茶谷原昭义 ;

杢野由明 .

中国专利 :CN111492098A ,2020-08-04

[6]

金刚石衬底的制备方法、金刚石衬底及半导体器件 [P].

刘新科 ;

钟智祥 ;

范康凯 ;

李一阳 ;

陈春燕 ;

黎晓华 ;

王铠丰 ;

何军 ;

刘河洲 .

中国专利 :CN121006616A ,2025-11-25

[7]

掺硼的金刚石半导体 [P].

R·里纳雷斯 .

中国专利 :CN101160642A ,2008-04-09

[8]

HTHP合成半导体人造金刚石的方法 [P].

苑执中 ;

李军旗 .

中国专利 :CN102989373B ,2013-03-27

[9]

制备n－型半导体金刚石的方法及n－型半导体金刚石 [P].

难波晓彦 ;

山本喜之 ;

角谷均 ;

西林良树 ;

今井贵浩 .

中国专利 :CN100409408C ,2005-12-14

[10]

一种金刚石半导体器件的制备方法及金刚石半导体器件 [P].

吴国光 ;

王增将 ;

任檬檬 ;

王孝秋 ;

张宝林 .

中国专利 :CN118156126B ,2024-12-31

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