氮硫共掺杂n型半导体金刚石材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910182374.2

申请日：

2019-03-12

公开(公告)号：

CN109881248B

公开(公告)日：

2019-06-14

发明(设计)人：

李红东万琳丰王旌丞成绍恒王启亮刘钧松高楠

申请人：

申请人地址：

130012 吉林省长春市前进大街2699号

IPC主分类号：

C30B2520

IPC分类号：

C30B2904 C23C1627 H01L2916 H01L29167

代理机构：

长春吉大专利代理有限责任公司 22201

代理人：

王恩远

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-07-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 25/20 申请日:20190312
2019-06-14	公开	公开
2021-01-15	授权	授权

共 50 条

[1]

一种共掺杂N型金刚石及其制备方法、半导体材料和半导体器件 [P].

杨扬 ;

唐永炳 .

中国专利 :CN119753834A ,2025-04-04

[2]

一种n型半导体金刚石材料的制备方法 [P].

贺端威 ;

郭睿昂 .

中国专利 :CN116180237B ,2024-12-10

[3]

n型共掺杂金刚石半导体材料制备的多尺度耦合仿真方法 [P].

李辉 ;

刘胜 ;

申胜男 ;

邹迪玮 ;

沈威 .

中国专利 :CN113096749A ,2021-07-09

[4]

制备n－型半导体金刚石的方法及n－型半导体金刚石 [P].

难波晓彦 ;

山本喜之 ;

角谷均 ;

西林良树 ;

今井贵浩 .

中国专利 :CN100409408C ,2005-12-14

[5]

n型半导体金刚石的制造方法及半导体金刚石 [P].

难波晓彦 ;

今井贵浩 ;

西林良树 .

中国专利 :CN1331235C ,2005-08-31

[6]

新型硼磷共掺p型金刚石半导体材料及其制备方法 [P].

李辉 ;

刘胜 ;

申胜男 ;

邹迪玮 ;

沈威 .

中国专利 :CN113046721A ,2021-06-29

[7]

N型金刚石半导体单晶及其生产方法 [P].

黄美玲 .

中国专利 :CN103103609A ,2013-05-15

[8]

掺杂金刚石半导体及其制造方法 [P].

埃里克·大卫·波斯威尔 .

中国专利 :CN110998796A ,2020-04-10

[9]

一种共掺杂金刚石及制备方法与半导体材料、装置 [P].

彭建国 ;

陈宏伟 ;

彭伟华 ;

孔智超 .

中国专利 :CN110565066B ,2019-12-13

[10]

一种晶型金刚石掺氮半导体复合材料及其制备方法 [P].

余斌 ;

余海粟 ;

朱轶方 ;

陆骁莹 .

中国专利 :CN113278947A ,2021-08-20

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