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新型硼磷共掺p型金刚石半导体材料及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202110581441.5
申请日
:
2021-05-27
公开(公告)号
:
CN113046721A
公开(公告)日
:
2021-06-29
发明(设计)人
:
李辉
刘胜
申胜男
邹迪玮
沈威
申请人
:
申请人地址
:
518057 广东省深圳市南山高新区粤兴二道6号武汉大学深圳产研楼A302室
IPC主分类号
:
C23C1627
IPC分类号
:
C23C16511
C23C1652
代理机构
:
武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222
代理人
:
肖明洲
法律状态
:
发明专利申请公布后的驳回
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2023-01-13
发明专利申请公布后的驳回
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C23C 16/27 申请公布日:20210629
2021-07-16
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/27 申请日:20210527
2021-06-29
公开
公开
共 50 条
[1]
掺硼的金刚石半导体
[P].
R·里纳雷斯
论文数:
0
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0
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R·里纳雷斯
.
中国专利
:CN101160642A
,2008-04-09
[2]
一种晶型金刚石掺氮半导体复合材料及其制备方法
[P].
余斌
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余斌
;
余海粟
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余海粟
;
朱轶方
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朱轶方
;
陆骁莹
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陆骁莹
.
中国专利
:CN113278947A
,2021-08-20
[3]
氮硫共掺杂n型半导体金刚石材料及其制备方法
[P].
李红东
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李红东
;
万琳丰
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万琳丰
;
王旌丞
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王旌丞
;
成绍恒
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成绍恒
;
王启亮
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王启亮
;
刘钧松
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刘钧松
;
高楠
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高楠
.
中国专利
:CN109881248B
,2019-06-14
[4]
一种共掺杂N型金刚石及其制备方法、半导体材料和半导体器件
[P].
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机构:
杨扬
;
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机构:
唐永炳
.
中国专利
:CN119753834A
,2025-04-04
[5]
一种掺硼金刚石复合电极材料及其制备方法、掺硼金刚石复合电极
[P].
王海龙
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王海龙
;
李强
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李强
;
李智强
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李智强
;
闫宁
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闫宁
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王志强
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王志强
;
张珂皓
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张珂皓
;
王溢仁
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王溢仁
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邵刚
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邵刚
;
李明亮
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李明亮
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范冰冰
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范冰冰
;
许红亮
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许红亮
;
卢红霞
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卢红霞
;
张锐
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张锐
.
中国专利
:CN110643957B
,2020-01-03
[6]
n型半导体金刚石的制造方法及半导体金刚石
[P].
难波晓彦
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难波晓彦
;
今井贵浩
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今井贵浩
;
西林良树
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西林良树
.
中国专利
:CN1331235C
,2005-08-31
[7]
石墨表面掺硼金刚石薄膜材料及其制备方法
[P].
王兵
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王兵
;
熊鹰
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熊鹰
.
中国专利
:CN104962876B
,2015-10-07
[8]
基于硼-氧共掺N型金刚石的金刚石PN结及其制备方法
[P].
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机构:
刘胜
;
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机构:
吴改
;
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机构:
沈威
;
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机构:
孙祥
;
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机构:
张栋梁
;
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机构:
汪启军
.
中国专利
:CN117832068A
,2024-04-05
[9]
一种共掺杂金刚石及制备方法与半导体材料、装置
[P].
彭建国
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彭建国
;
陈宏伟
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陈宏伟
;
彭伟华
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彭伟华
;
孔智超
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孔智超
.
中国专利
:CN110565066B
,2019-12-13
[10]
基于MPCVD工艺的硼氮共掺N型金刚石及其制备方法
[P].
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机构:
刘胜
;
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机构:
张栋梁
;
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机构:
郭宇铮
;
刘修铭
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机构:
武汉大学
武汉大学
刘修铭
;
甘志文
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机构:
武汉大学
武汉大学
甘志文
;
甘志银
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机构:
武汉大学
武汉大学
甘志银
;
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机构:
东芳
;
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机构:
张召富
;
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机构:
孙祥
.
中国专利
:CN120797187A
,2025-10-17
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