用于形成具有低电阻率的金属间隙填充物的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380065707.8

申请日：

2023-09-11

公开(公告)号：

CN119895560A

公开(公告)日：

2025-04-25

发明(设计)人：

徐翼雷雨亓智敏张爱西赵咸元雷伟高兴尧希里什语·A·佩特黄涛常翔帕特里克·博-均·李杰拉尔丁·瓦斯奎兹吴典晔汪荣军

申请人：

应用材料公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L21/768

IPC分类号：

H01L21/285 C23C16/02 C23C16/04 C23C16/06

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国;吴启超

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-25	公开	公开
2025-05-13	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/768申请日:20230911

共 50 条

[1]

用于形成金属间隙填充物的方法 [P].

岑羲 ;

马飞越 ;

吴凯 ;

雷雨 ;

大东和也 ;

徐翼 ;

维卡什·班西埃 ;

张镁 ;

任河 ;

雷蒙德·霍曼·洪 ;

姚雅宽 ;

阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 ;

戴维·T·奥 ;

周静 ;

蹇国强 ;

林志周 ;

赖一鸣 ;

叶佳 ;

王振宇 .

中国专利 :CN113678231A ,2021-11-19

[2]

用于形成金属间隙填充物的方法 [P].

岑羲 ;

马飞越 ;

吴凯 ;

雷雨 ;

大东和也 ;

徐翼 ;

维卡什·班西埃 ;

张镁 ;

任河 ;

雷蒙德·霍曼·洪 ;

姚雅宽 ;

阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 ;

戴维·T·奥 ;

周静 ;

蹇国强 ;

林志周 ;

赖一鸣 ;

叶佳 ;

王振宇 .

美国专利 :CN113678231B ,2025-03-18

[3]

低电阻率间隙填充 [P].

杨宗翰 ;

刘震 ;

高勇谦 ;

侯文婷 ;

汪荣军 .

美国专利 :CN120226140A ,2025-06-27

[4]

用于逻辑器件的低电阻率间隙填充 [P].

刘震 ;

李明翰 ;

张洁 ;

高勇谦 ;

杨宗翰 ;

汪荣军 .

美国专利 :CN120457536A ,2025-08-08

[5]

形成具有低电阻率金属图案的方法 [P].

卢昌镐 ;

宋基镕 ;

金珍詠 ;

塔玛拉·拜克 ;

G·A·布兰尼茨基 ;

T·V·盖夫斯卡娅 ;

V·G·索科洛夫 .

中国专利 :CN100461000C ,2005-07-20

[6]

用于形成低电阻率接触的方法 [P].

吕疆 ;

吴立其 ;

窦伟 ;

叶伟峰 ;

陈世忠 ;

汪荣军 ;

唐先敏 ;

万一扬 ;

张书锚 ;

郭涧秋 .

美国专利 :CN119768908A ,2025-04-04

[7]

用于形成低电阻率钨特征的方法 [P].

王珮琪 ;

程诚 ;

吴凯 ;

河仁守 ;

李相进 .

美国专利 :CN118140301A ,2024-06-04

[8]

用于低电阻率及应力的钨间隙填充部的方法与装置 [P].

岑羲 ;

吴凯 ;

玄珉 ;

张潍铭 ;

汤姆何荣·余 ;

王珮琪 ;

姜宙翼 ;

王飞虎 ;

佐佐木信之 ;

周春明 .

中国专利 :CN115023792A ,2022-09-06

[9]

形成低电阻率贵金属互连的装置及方法 [P].

张洵渊 ;

法兰克·W·蒙特 ;

埃罗尔·特德·莱恩 .

中国专利 :CN107452714B ,2017-12-08

[10]

用于低电阻率半导体应用的混合钼填充方案 [P].

魏雷 ;

沙希尔·帕特尔 ;

杨逸雄 ;

雷雨 ;

岳诗雨 ;

徐翼 ;

吐尔逊·艾丽胡玛尔 ;

吴周玹 ;

唐先敏 ;

汪荣军 .

美国专利 :CN120981909A ,2025-11-18

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