形成低电阻率贵金属互连的装置及方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710398591.6

申请日：

2017-05-31

公开(公告)号：

CN107452714B

公开(公告)日：

2017-12-08

发明(设计)人：

张洵渊法兰克·W·蒙特埃罗尔·特德·莱恩

申请人：

申请人地址：

英属开曼群岛大开曼岛

IPC主分类号：

H01L23532

IPC分类号：

H01L21768

代理机构：

北京戈程知识产权代理有限公司 11314

代理人：

程伟;王锦阳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-12-08	公开	公开
2018-01-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/532 申请日:20170531
2021-03-12	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 23/532 登记生效日:20210226 变更事项:专利权人变更前权利人:格罗方德半导体公司变更后权利人:格芯(美国)集成电路科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:英属开曼群岛大开曼岛变更后权利人:美国加利福尼亚州
2020-06-02	授权	授权

共 50 条

[1]

形成具有改进黏附性的低电阻率贵金属互连的装置及方法 [P].

张洵渊 ;

法兰克·W·蒙特 ;

埃罗尔·特德·莱恩 .

中国专利 :CN107452713A ,2017-12-08

[2]

形成具有低电阻率金属图案的方法 [P].

卢昌镐 ;

宋基镕 ;

金珍詠 ;

塔玛拉·拜克 ;

G·A·布兰尼茨基 ;

T·V·盖夫斯卡娅 ;

V·G·索科洛夫 .

中国专利 :CN100461000C ,2005-07-20

[3]

用于集成电路的低电阻率互连件及其形成方法 [P].

迦尼士·海兹 ;

哈索诺·S·席姆卡 .

韩国专利 :CN111446205B ,2025-02-25

[4]

用于集成电路的低电阻率互连件及其形成方法 [P].

迦尼士·海兹 ;

哈索诺·S·席姆卡 .

中国专利 :CN111446205A ,2020-07-24

[5]

低电阻率触点和互连部 [P].

拉伊汉·M·塔拉夫达尔 ;

照健·史蒂文·黎 ;

罗郑硕 .

中国专利 :CN115668480A ,2023-01-31

[6]

用于形成低电阻率接触的方法 [P].

吕疆 ;

吴立其 ;

窦伟 ;

叶伟峰 ;

陈世忠 ;

汪荣军 ;

唐先敏 ;

万一扬 ;

张书锚 ;

郭涧秋 .

美国专利 :CN119768908A ,2025-04-04

[7]

低电阻率接触 [P].

R.J.瑟里恩 ;

J.D.里德 ;

J.A.拉姆齐 ;

A.L.格雷 .

中国专利 :CN103890985A ,2014-06-25

[8]

具有自形成扩散阻挡层的低电阻率金属互连结构 [P].

H·P·阿曼亚普 ;

C·B·皮萨拉 ;

R·R·帕特洛拉 ;

杨智超 ;

T·诺加米 .

中国专利 :CN111566800B ,2020-08-21

[9]

具有自形成扩散阻挡层的低电阻率金属互连结构 [P].

H·P·阿曼亚普 ;

C·B·皮萨拉 ;

R·R·帕特洛拉 ;

杨智超 ;

T·诺加米 .

中国专利 :CN115332166A ,2022-11-11

[10]

用于形成低电阻率钨特征的方法 [P].

王珮琪 ;

程诚 ;

吴凯 ;

河仁守 ;

李相进 .

美国专利 :CN118140301A ,2024-06-04

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