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具有自形成扩散阻挡层的低电阻率金属互连结构
被引:0
申请号
:
CN202211008402.7
申请日
:
2018-12-18
公开(公告)号
:
CN115332166A
公开(公告)日
:
2022-11-11
发明(设计)人
:
H·P·阿曼亚普
C·B·皮萨拉
R·R·帕特洛拉
杨智超
T·诺加米
申请人
:
申请人地址
:
美国加利福尼亚州
IPC主分类号
:
H01L21768
IPC分类号
:
H01L2348
代理机构
:
北京市金杜律师事务所 11256
代理人
:
丁君军
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-11-11
公开
公开
2022-11-29
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20181218
共 50 条
[1]
具有自形成扩散阻挡层的低电阻率金属互连结构
[P].
H·P·阿曼亚普
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
H·P·阿曼亚普
;
C·B·皮萨拉
论文数:
0
引用数:
0
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0
C·B·皮萨拉
;
R·R·帕特洛拉
论文数:
0
引用数:
0
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0
R·R·帕特洛拉
;
杨智超
论文数:
0
引用数:
0
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0
杨智超
;
T·诺加米
论文数:
0
引用数:
0
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0
T·诺加米
.
中国专利
:CN111566800B
,2020-08-21
[2]
在互连结构中形成扩散阻挡层的方法及扩散阻挡层
[P].
张睫灵
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
重庆芯联微电子有限公司
重庆芯联微电子有限公司
张睫灵
;
李秋茂
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
重庆芯联微电子有限公司
重庆芯联微电子有限公司
李秋茂
;
林昭宏
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
重庆芯联微电子有限公司
重庆芯联微电子有限公司
林昭宏
.
中国专利
:CN119993907A
,2025-05-13
[3]
扩散阻挡层、金属互连结构及其制造方法
[P].
马小龙
论文数:
0
引用数:
0
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0
马小龙
;
殷华湘
论文数:
0
引用数:
0
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0
殷华湘
;
赵利川
论文数:
0
引用数:
0
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0
赵利川
.
中国专利
:CN103296006A
,2013-09-11
[4]
金属互连结构、半导体器件及提高扩散阻挡层性能的方法
[P].
张丹
论文数:
0
引用数:
0
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0
张丹
;
罗军
论文数:
0
引用数:
0
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0
罗军
;
许静
论文数:
0
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0
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0
许静
;
叶甜春
论文数:
0
引用数:
0
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0
叶甜春
.
中国专利
:CN112652607A
,2021-04-13
[5]
具有阻挡层冗余特征的互连结构
[P].
杨智超
论文数:
0
引用数:
0
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0
杨智超
;
L·L·休
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
L·L·休
.
中国专利
:CN101038905A
,2007-09-19
[6]
铜互连用扩散阻挡层、铜互连结构及其制备方法
[P].
请求不公布姓名
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
青岛澳柯玛云联信息技术有限公司
青岛澳柯玛云联信息技术有限公司
请求不公布姓名
.
中国专利
:CN119673891A
,2025-03-21
[7]
一种扩散阻挡层制备方法及铜互连结构
[P].
张静
论文数:
0
引用数:
0
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0
张静
.
中国专利
:CN107195582A
,2017-09-22
[8]
一种用于铜互连线的低电阻率高失效温度的单层扩散阻挡层
[P].
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
陈秀华
;
刘龙思
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
云南大学
云南大学
刘龙思
;
曹依琳
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
云南大学
云南大学
曹依琳
;
赵俊楠
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
云南大学
云南大学
赵俊楠
;
论文数:
引用数:
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机构:
马文会
.
中国专利
:CN119890179A
,2025-04-25
[9]
用于互连结构的阻挡层及其制备方法
[P].
杨弦龙
论文数:
0
引用数:
0
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0
杨弦龙
;
姜德新
论文数:
0
引用数:
0
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0
姜德新
.
中国专利
:CN113675171A
,2021-11-19
[10]
一种低电阻率锰氧氮抗Cu扩散阻挡层材料
[P].
丁士进
论文数:
0
引用数:
0
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0
丁士进
;
王永平
论文数:
0
引用数:
0
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0
王永平
;
朱宝
论文数:
0
引用数:
0
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0
朱宝
;
张卫
论文数:
0
引用数:
0
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0
张卫
.
中国专利
:CN108987376A
,2018-12-11
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