金属互连结构、半导体器件及提高扩散阻挡层性能的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011430362.6

申请日：

2020-12-09

公开(公告)号：

CN112652607A

公开(公告)日：

2021-04-13

发明(设计)人：

张丹罗军许静叶甜春

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L23528

IPC分类号：

H01L23532 H01L21768

代理机构：

北京辰权知识产权代理有限公司 11619

代理人：

金铭

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-13	公开	公开
2021-04-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/528 申请日:20201209

共 50 条

[1]

在互连结构中形成扩散阻挡层的方法及扩散阻挡层 [P].

张睫灵 ;

李秋茂 ;

林昭宏 .

中国专利 :CN119993907A ,2025-05-13

[2]

扩散阻挡层、金属互连结构及其制造方法 [P].

马小龙 ;

殷华湘 ;

赵利川 .

中国专利 :CN103296006A ,2013-09-11

[3]

铜互连的扩散阻挡层、半导体器件及其制造方法 [P].

张飞虎 ;

冷江华 ;

赵龙 .

中国专利 :CN104362139A ,2015-02-18

[4]

扩散阻挡层和带扩散阻挡层的半导体器件及其制造方法 [P].

斯蒂芬·A·科恩 ;

蒂莫西·J·多尔顿 ;

约翰·A·费兹西蒙斯 ;

斯蒂芬·M·盖兹 ;

莱恩·M·基格纳克 ;

保罗·C·詹米森 ;

康－吾·李 ;

辛帕斯·帕鲁舒塔曼 ;

达尔·D·利斯坦诺 ;

伊万·西蒙尼 ;

霍雷肖·S·威尔德曼 .

中国专利 :CN1186814C ,2001-08-15

[5]

一种半导体器件互连结构阻挡层的制备方法 [P].

王婷 ;

任兴润 ;

何丹丹 ;

刘洋 .

中国专利 :CN110957261A ,2020-04-03

[6]

金属互连结构及半导体器件 [P].

孔果果 ;

周运帆 ;

何世伟 ;

朱贤士 ;

赖建雄 ;

夏勇 .

中国专利 :CN215183937U ,2021-12-14

[7]

金属互连结构及半导体器件 [P].

孔果果 ;

周运帆 ;

何世伟 ;

朱贤士 ;

赖建雄 ;

夏勇 .

中国专利 :CN117855186A ,2024-04-09

[8]

铜互连用扩散阻挡层、铜互连结构及其制备方法 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN119673891A ,2025-03-21

[9]

具有自形成扩散阻挡层的低电阻率金属互连结构 [P].

H·P·阿曼亚普 ;

C·B·皮萨拉 ;

R·R·帕特洛拉 ;

杨智超 ;

T·诺加米 .

中国专利 :CN111566800B ,2020-08-21

[10]

具有自形成扩散阻挡层的低电阻率金属互连结构 [P].

H·P·阿曼亚普 ;

C·B·皮萨拉 ;

R·R·帕特洛拉 ;

杨智超 ;

T·诺加米 .

中国专利 :CN115332166A ,2022-11-11

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