半导体制造装置用部件和半导体制造装置用部件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780044497.9

申请日：

2017-07-13

公开(公告)号：

CN109476555B

公开(公告)日：

2019-03-15

发明(设计)人：

三矢耕平丹下秀夫堀田元树小川贵道

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

C04B3700

IPC分类号：

H01L21683

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;李茂家

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 37/00 申请日:20170713
2019-03-15	公开	公开
2022-06-07	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体制造装置用部件的制造方法和半导体制造装置用部件 [P].

三矢耕平 ;

丹下秀夫 ;

堀田元树 ;

小川贵道 .

中国专利 :CN109476554B ,2019-03-15

[2]

半导体制造装置用部件、半导体制造装置及半导体制造装置用部件的制造方法 [P].

A·塔斯利姆 .

日本专利 :CN121175794A ,2025-12-19

[3]

半导体制造装置用部件 [P].

三矢耕平 ;

丹下秀夫 ;

堀田元树 ;

小川贵道 .

中国专利 :CN109476553B ,2019-03-15

[4]

半导体制造装置用的部件以及半导体制造装置 [P].

须川直树 ;

佐藤直行 ;

永关一也 .

中国专利 :CN109841476B ,2019-06-04

[5]

半导体制造装置用部件 [P].

石川征树 ;

赤塚祐司 .

中国专利 :CN110970327A ,2020-04-07

[6]

半导体制造装置用部件 [P].

竹林央史 .

日本专利 :CN110770877B ,2024-06-18

[7]

半导体制造装置用部件 [P].

井上靖也 ;

久野达也 ;

平田夏树 ;

米本宪司 .

日本专利 :CN119547186A ,2025-02-28

[8]

半导体制造装置用部件 [P].

杉本博哉 .

日本专利 :CN120322857A ,2025-07-15

[9]

半导体制造装置用部件 [P].

小岛充 ;

竹林央史 ;

和气隼也 .

日本专利 :CN119365971A ,2025-01-24

[10]

半导体制造装置用部件 [P].

小岛充 ;

竹林央史 .

日本专利 :CN119604974A ,2025-03-11

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