半导体制造装置用的部件以及半导体制造装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811440918.2

申请日：

2018-11-29

公开(公告)号：

CN109841476B

公开(公告)日：

2019-06-04

发明(设计)人：

须川直树佐藤直行永关一也

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01J3732

IPC分类号：

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-06-04	公开	公开
2019-06-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 37/32 申请日:20181129
2021-06-08	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体制造装置用部件、半导体制造装置及半导体制造装置用部件的制造方法 [P].

A·塔斯利姆 .

日本专利 :CN121175794A ,2025-12-19

[2]

半导体制造方法、半导体制造装置以及半导体装置 [P].

太駄俊彦 ;

黑泽哲也 ;

福田昌利 .

中国专利 :CN110310903A ,2019-10-08

[3]

半导体制造装置以及半导体制造方法 [P].

田中博司 .

中国专利 :CN110383428A ,2019-10-25

[4]

半导体制造装置以及半导体制造方法 [P].

田中博司 .

中国专利 :CN110073479A ,2019-07-30

[5]

半导体制造装置以及半导体制造方法 [P].

藤仓序章 .

中国专利 :CN106688079A ,2017-05-17

[6]

半导体制造方法以及半导体制造装置 [P].

山口欣秀 .

中国专利 :CN115707346A ,2023-02-17

[7]

半导体制造方法以及半导体制造装置 [P].

青山敬幸 ;

加藤慎一 .

中国专利 :CN105428400A ,2016-03-23

[8]

半导体制造装置以及半导体制造方法 [P].

藤仓序章 .

中国专利 :CN106796872B ,2017-05-31

[9]

半导体制造方法以及半导体制造装置 [P].

有马博纪 ;

芦泽公一 .

日本专利 :CN112889137B ,2025-02-25

[10]

半导体制造装置以及半导体制造方法 [P].

水谷卓也 ;

小峰信洋 .

中国专利 :CN115050667A ,2022-09-13

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