具有两个高电子迁移率晶体管的堆叠的电子器件

被引：0

申请号：

CN202210494226.6

申请日：

2022-05-05

公开(公告)号：

CN115312597A

公开(公告)日：

2022-11-08

发明(设计)人：

M·诺恩盖拉德 T·欧埃克斯

申请人：

申请人地址：

法国格勒诺布尔

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2910 H01L2906

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

董莘

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-11-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20220505
2022-11-08	公开	公开

共 50 条

[1]

高电子迁移率晶体管器件和电子器件 [P].

D·G·帕蒂 .

中国专利 :CN213459743U ,2021-06-15

[2]

包括两个高电子迁移率晶体管的电子装置 [P].

M·诺恩盖拉德 ;

T·欧埃克斯 .

中国专利 :CN115148730A ,2022-10-04

[3]

高电子迁移率晶体管器件 [P].

艾曼·谢比卜 ;

凯尔·特里尔 .

中国专利 :CN108155232B ,2018-06-12

[4]

高电子迁移率晶体管器件 [P].

陈彦良 ;

大藤彻 ;

谢明达 .

中国专利 :CN209747519U ,2019-12-06

[5]

高电子迁移率晶体管器件 [P].

艾曼·谢比卜 ;

凯尔·特里尔 .

中国专利 :CN114582971A ,2022-06-03

[6]

高电子迁移率晶体管器件及制作高电子迁移率晶体管的方法 [P].

阿布舍克·班纳吉 ;

皮特·莫昂 ;

赫伯特·德维利斯古威尔 ;

彼得·科庞 .

中国专利 :CN114725213A ,2022-07-08

[7]

高电子迁移率晶体管结构和高电子迁移率晶体管 [P].

蔡政原 .

中国专利 :CN214705936U ,2021-11-12

[8]

高电子迁移率晶体管的制造方法及高电子迁移率晶体管 [P].

孙辉 ;

刘美华 ;

林信南 ;

陈东敏 .

中国专利 :CN107623030A ,2018-01-23

[9]

高电子迁移率晶体管的制造方法和高电子迁移率晶体管 [P].

山村拓嗣 ;

西口贤弥 ;

住吉和英 .

日本专利 :CN112614783B ,2025-09-05

[10]

高电子迁移率晶体管的制造方法和高电子迁移率晶体管 [P].

山村拓嗣 ;

西口贤弥 ;

住吉和英 .

中国专利 :CN112614783A ,2021-04-06

← 1 2 3 4 5 →