薄膜晶体管基板及薄膜晶体管基板的制造方法

被引：0

申请号：

CN202111080939.X

申请日：

2021-09-15

公开(公告)号：

CN114267684A

公开(公告)日：

2022-04-01

发明(设计)人：

田中淳

申请人：

申请人地址：

430205 湖北省武汉市东湖新技术开发区流芳园横路8号

IPC主分类号：

H01L2712

IPC分类号：

H01L2177 H01L2732

代理机构：

北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291

代理人：

黄志华;何月华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-01	公开	公开
2022-05-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/12 申请日:20210915

共 50 条

[1]

薄膜晶体管基板及薄膜晶体管基板的制造方法 [P].

田中淳 .

中国专利 :CN114267684B ,2025-04-29

[2]

薄膜晶体管、薄膜晶体管基板及其制造方法 [P].

李殷国 ;

金度贤 ;

郑敞午 ;

李制勋 ;

林淳权 .

中国专利 :CN101226901A ,2008-07-23

[3]

薄膜晶体管基板 [P].

竹知和重 .

中国专利 :CN118099166A ,2024-05-28

[4]

薄膜晶体管基板 [P].

李瑛长 ;

孙庚模 ;

赵圣弼 ;

朴帝薰 ;

李昭珩 ;

盧相淳 ;

朴文镐 ;

李成秦 ;

高承孝 ;

郑美真 .

中国专利 :CN204464282U ,2015-07-08

[5]

薄膜晶体管基板的制造方法和薄膜晶体管基板 [P].

菊池哲郎 ;

大东彻 ;

今井元 ;

铃木正彦 ;

西宫节治 ;

上田辉幸 ;

原健吾 .

中国专利 :CN109599362A ,2019-04-09

[6]

薄膜晶体管基板和薄膜晶体管基板的制造方法 [P].

原健吾 ;

大东彻 ;

今井元 ;

菊池哲郎 ;

铃木正彦 ;

西宫节治 ;

上田辉幸 ;

山中昌光 .

中国专利 :CN110783344A ,2020-02-11

[7]

薄膜晶体管基板和制造薄膜晶体管基板的方法 [P].

郭喜荣 .

中国专利 :CN103033999A ,2013-04-10

[8]

薄膜晶体管基板 [P].

赵圣弼 ;

金容一 .

中国专利 :CN204538024U ,2015-08-05

[9]

薄膜晶体管基板 [P].

竹知和重 ;

世良贤二 ;

田中淳 ;

何水 ;

林飞鹏 .

中国专利 :CN114695387A ,2022-07-01

[10]

薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 [P].

徐铉植 ;

金峰澈 ;

金大元 .

中国专利 :CN103258743A ,2013-08-21

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