薄膜晶体管、薄膜晶体管基板及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710300775.0

申请日：

2007-12-14

公开(公告)号：

CN101226901A

公开(公告)日：

2008-07-23

发明(设计)人：

李殷国金度贤郑敞午李制勋林淳权

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2184

IPC分类号：

H01L21768 H01L21336 H01L2128 H01L2712 H01L23532 H01L29786 H01L2943 G02F11362

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-02-18	授权	授权
2012-11-28	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101476146231 IPC(主分类):H01L 21/84 专利申请号:2007103007750 变更事项:申请人变更前权利人:三星电子株式会社变更后权利人:三星显示有限公司变更事项:地址变更前权利人:韩国京畿道变更后权利人:韩国京畿道登记生效日:20121031
2018-02-02	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/84 申请日:20071214 授权公告日:20150218 终止日期:20161214
2010-02-03	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-07-23	公开	公开

共 50 条

[1]

薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 [P].

徐铉植 ;

金峰澈 ;

金大元 .

中国专利 :CN103258743A ,2013-08-21

[2]

薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 [P].

李制勋 ;

宋俊昊 ;

吕伦钟 ;

鄭華棟 .

中国专利 :CN103456793B ,2013-12-18

[3]

薄膜晶体管的制造方法及其制造的薄膜晶体管 [P].

郑扬霖 ;

萧祥志 .

中国专利 :CN102881653B ,2013-01-16

[4]

薄膜晶体管的制造方法以及薄膜晶体管 [P].

滩秀明 ;

面了明 ;

滋野博誉 ;

坂田喜博 ;

奥村秀三 .

中国专利 :CN107408509A ,2017-11-28

[5]

薄膜晶体管基板 [P].

竹知和重 .

中国专利 :CN118099166A ,2024-05-28

[6]

薄膜晶体管基板 [P].

竹知和重 ;

世良贤二 ;

田中淳 ;

何水 ;

林飞鹏 .

中国专利 :CN114695387A ,2022-07-01

[7]

薄膜晶体管基板 [P].

竹知和重 ;

世良贤二 ;

田中淳 ;

何水 ;

林飞鹏 .

中国专利 :CN114695387B ,2025-07-11

[8]

薄膜晶体管、薄膜晶体管基板及其制造方法 [P].

李一帆 ;

锺享显 .

中国专利 :CN102569416A ,2012-07-11

[9]

薄膜晶体管基板及薄膜晶体管基板的制造方法 [P].

田中淳 .

中国专利 :CN114267684A ,2022-04-01

[10]

薄膜晶体管基板及薄膜晶体管基板的制造方法 [P].

田中淳 .

中国专利 :CN114267684B ,2025-04-29

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