重叠测量设备、光刻设备和使用这种重叠测量设备的器件制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200980123676.7
申请日
2009-05-14
公开(公告)号
CN102067040A
公开(公告)日
2011-05-18
发明(设计)人
A·邓鲍夫
申请人
申请人地址
荷兰维德霍温
IPC主分类号
G03F720
IPC分类号
代理机构
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人
王波波
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
测量方法、测量设备、光刻设备和器件制造方法 [P]. 
E·W·埃伯特 ;
F·G·C·比基恩 .
中国专利 :CN106796406A ,2017-05-31
[2]
重叠测量方法和使用其的重叠测量设备 [P]. 
崔交亨 ;
朴珍俊 .
中国专利 :CN101063829A ,2007-10-31
[3]
测量重叠误差的半导体器件和方法、光刻设备及器件制造方法 [P]. 
摩西·杜萨 ;
阿克塞尔·纳克尔特斯 ;
古斯塔夫·沃哈根 .
中国专利 :CN101202268B ,2008-06-18
[4]
重叠测量的方法、光刻设备、检查设备、处理设备和光刻处理单元 [P]. 
A·邓鲍夫 .
中国专利 :CN102460310A ,2012-05-16
[5]
测量方法、测量设备、光刻设备及器件制造方法 [P]. 
A·J·登博夫 ;
M·H·M·比姆斯 ;
T·P·M·卡迪 ;
R·W·L·拉法瑞 .
中国专利 :CN102645847A ,2012-08-22
[6]
测量系统、光刻设备和器件制造方法 [P]. 
H-K·尼恩海斯 ;
G·纳基博格鲁 ;
R·M·A·L·佩蒂特 ;
H·F·佩恩 ;
R·Y·范德默斯迪杰克 ;
F·J·J·范博克斯特尔 ;
B·克瑞金加 .
中国专利 :CN108700830B ,2018-10-23
[7]
用于测量微结构的非对称性的方法和设备、位置测量方法、位置测量设备、光刻设备和器件制造方法 [P]. 
S·G·J·玛斯吉森 .
中国专利 :CN105143986B ,2015-12-09
[8]
光刻设备和器件制造方法以及测量系统 [P]. 
M·H·M·比姆斯 ;
E·A·F·范德帕斯奇 .
中国专利 :CN100476588C ,2005-04-27
[9]
光刻设备和器件制造方法以及测量系统 [P]. 
M·H·M·比姆斯 ;
E·A·F·范德帕斯奇 .
中国专利 :CN101398633A ,2009-04-01
[10]
光刻设备和器件制造方法以及测量系统 [P]. 
M·H·M·比姆斯 ;
E·A·F·范德帕斯奇 .
中国专利 :CN101398634B ,2009-04-01